TC1411EPA备选型号: TC1411NEPA

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  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 最大输出电流
  • 电源电流
  • 功率耗散
  • 传播延迟
  • 输入类型
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  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 驱动器数量
  • 输入偏置电流
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流(源极,漏极)
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Microchip Technology
    IC MOSFET DVR 1A HS INV 8DIP
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    14Ohm
    Matte Tin (Sn)
    730mW
    4.5V~16V
    DUAL
    1
    16V
    2.54mm
    TC1411
    8
    1A
    1mA
    730mW
    40 ns
    Inverting
    45 ps
    35ns
    35 ns
    25ns 25ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    1
    10μA
    0.045 μs
    1A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1A 1A
    YES
    0.045 μs
    3.68mm
    9.78mm
    6.6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • Microchip Technology
    IC MOSFET DVR 1A HI-SPEED 8DIP
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    730mW
    4.5V~16V
    DUAL
    1
    16V
    2.54mm
    TC1411N
    8
    1A
    1mA
    730mW
    40 ns
    Non-Inverting
    45 ps
    35ns
    35 ns
    25ns 25ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    1
    -
    0.045 μs
    1A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1A 1A
    YES
    0.045 μs
    3.68mm
    9.78mm
    6.6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
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