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首页 全部分类 TC4467CPD vs ISL83202IPZ

TC4467CPD备选型号: ISL83202IPZ

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  • 关断时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 电源电压
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 温度等级
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 工作电源电流
  • 输出电流
  • 驱动器数量
  • 座位高度(最大)
  • Microchip Technology
    TC4467CPD
    Microchip Technology
    IC MOSFET DVR QUAD NAND 14DIP
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm)
    14
    Low-Side
    0°C~150°C TJ
    2002
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    14
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    800mW
    4.5V~18V
    DUAL
    4
    TC4467
    8
    4
    1.2A
    4mA
    800mW
    4mA
    75 ns
    Inverting
    75 ns
    25ns
    25 ns
    15ns 15ns
    基于NAND门的MOSFET驱动器
    Independent
    0.1 μs
    1.2A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.2A 1.2A
    YES
    0.1 μs
    3.3mm
    19.05mm
    6.35mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Intersil (Renesas Electronics America)
    ISL83202IPZ
    Intersil (Renesas Electronics America)
    IC FET DRIVER H-BRIDGE 1A 16-DIP
    9 Weeks
    通孔
    -
    PDIP
    16
    -
    -
    1994
    -
    e3
    yes
    活跃
    -
    16
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    -
    DUAL
    1
    -
    16
    -
    1A
    -
    -
    6.4mA
    -
    -
    -
    20ns
    20 ns
    -
    基于半桥的mosfet驱动器
    -
    150 µs
    1A
    -
    -
    YES
    100 µs
    -
    19.17mm
    7.62mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    125°C
    -55°C
    NOT APPLICABLE
    12V
    NOT APPLICABLE
    不合格
    MILITARY
    15V
    8.5V
    6.4mA
    1A
    4
    5.33mm
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