TD351IDT备选型号: ADP3120AJRZ
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 最大输出电流
- 工作电源电流
- 功率耗散
- 最大电源电流
- 传播延迟
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 上升/下降时间(Typ)
- 接口IC类型
- 信道型
- 驱动器数量
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 关断时间
- 内置保护器
- 输出电流流向
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电流
- 输出电流
- 接通时间
- 高边驱动器
- 高压侧电压-最大值(自举)
- 座位高度(最大)
- IC DRIVER GATE IGBT/MOSFET 8SOICACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8124.596154mgHigh-Side-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)e4活跃1 (Unlimited)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)500mW12V~26VDUAL鸥翼260116V30TD35181.7A2.5mA500mW2.5mA2.2 μsNon-Inverting2.2 μs100ns100 ns100ns 100ns Max基于半桥的外设驱动器Single1IGBT, N-Channel MOSFET1.3A 1.7A0.4 μsOVER CURRENT; UNDER VOLTAGE水槽4.9mm3.9mm无ROHS3 Compliant无铅---------
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC--表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-Half-Bridge-20°C~150°C TJTubee3Obsolete1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)-4.6V~13.2VDUAL鸥翼260112V40ADP3120A81.5A---70 nsInverting, Non-Inverting70 ns20ns11 ns20ns 11ns-Synchronous2N-Channel MOSFET-0.07 µs--4.9mm3.9mm-符合RoHS标准-2007不合格12V5mA1.5A0.045 µsYES35V1.75mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|



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