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首页 全部分类 TD9944TG-G vs IRF7820TRPBF

TD9944TG-G备选型号: IRF7820TRPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 端子位置
  • 功率耗散
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • DS 击穿电压-最小值
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Microchip Technology
    TD9944TG-G
    Microchip Technology
    Trans MOSFET N-CH 240V 8-Pin SOIC N T/R
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    84.99187mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    低阈值
    鸥翼
    260
    40
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2
    增强型MOSFET
    10 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    6 Ω @ 500mA, 10V
    2V @ 1mA
    125pF @ 25V
    10ns
    10 ns
    1A
    20V
    6Ohm
    240V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7820TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    3.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    7.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    78m Ω @ 2.2A, 10V
    5V @ 100μA
    1750pF @ 100V
    3.2ns
    12 ns
    3.7A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    DUAL
    2.5W
    44nC @ 10V
    200V
    ±20V
    4V
    200V
    4 V
    无SVHC
    无
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FDS2734 FDS2734 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3A; 2.5W; SO8; UltraFET® 对比