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首页 全部分类 TDA21102 vs L6386ED

TDA21102备选型号: L6386ED

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  • 传播延迟
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  • 信道型
  • 闸门类型
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  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    TDA21102
    Infineon Technologies
    IC DRIVER DUAL HS MOSFET PDSO-14
    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    14
    2004
    CoreControl™
    Tape & Reel (TR)
    -25°C~150°C TJ
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    14
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    DC-DC Converters
    900mW
    10.8V~13.2V
    DUAL
    鸥翼
    2
    12V
    TDA21102
    14
    4
    4A
    12V
    PWM
    4.9mA
    Half Bridge (2)
    4A
    1.8mA
    22ns
    14 ns
    5V~13.2V
    Shoot-Through, UVLO
    2
    0.035 μs
    4A
    1.4 Ω LS, 1 Ω HS
    12V
    YES
    Inductive
    引导电路
    1.75mm
    8.75mm
    Non-RoHS Compliant
    无
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    L6386ED
    STMicroelectronics
    IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-SOIC
    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    14
    -
    -
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    e4
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    14
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    -
    750mW
    17V Max
    DUAL
    鸥翼
    1
    15V
    L6386
    14
    2
    650mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    50ns
    30 ns
    -
    -
    -
    0.15 µs
    0.65A
    -
    -
    YES
    -
    -
    -
    8.75mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    Half-Bridge
    260
    400kHz
    40
    580V
    15V
    750mW
    150 ns
    Inverting
    150 ps
    50ns 30ns
    Independent
    IGBT, N-Channel MOSFET
    400mA 650mA
    0.15 µs
    600V
    1.65mm
    4mm
    无SVHC
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