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首页 全部分类 TK10A60W,S4VX vs IPA60R380P6XKSA1

TK10A60W,S4VX备选型号: IPA60R380P6XKSA1

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
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  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK10A60W,S4VX
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    9.7A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    700pF
    unknown
    30W
    N-Channel
    380m Ω @ 4.9A, 10V
    3.7V @ 500μA
    700pF @ 300V
    20nC @ 10V
    22ns
    ±30V
    5.5 ns
    9.7A
    30V
    600V
    超级交界处
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R380P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    10.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    380mOhm @ 3.8A, 10V
    4.5V @ 320μA
    877pF @ 100V
    19nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    7 ns
    10.6A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    PG-TO220-FP
    6.000006g
    150°C
    -55°C
    1
    12 ns
    无卤素
    600V
    600V
    877pF
    342mOhm
    380 mΩ
    无铅
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