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首页 全部分类 TK3A65D(STA4,Q,M) vs FCPF2250N80Z

TK3A65D(STA4,Q,M)备选型号: FCPF2250N80Z

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 达到SVHC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK3A65D(STA4,Q,M)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    TO-220SIS
    3A Ta
    4.4V @ 1mA
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVII
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    2.25Ohm @ 1.5A, 10V
    540pF @ 25V
    11nC @ 10V
    18ns
    650V
    ±30V
    8 ns
    3A
    30V
    540pF
    2.25 Ω
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCPF2250N80Z
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220-3
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    -
    21.9W Tc
    4.5V @ 260μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    2.25 Ω @ 1.3A, 10V
    585pF @ 100V
    14nC @ 10V
    6.7ns
    800V
    ±20V
    8.7 ns
    2.6A
    30V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2.27g
    e3
    yes
    EAR99
    2.25Ohm
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    未说明
    未说明
    Single
    11 ns
    not_compliant
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