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首页 全部分类 TK8A45DA(STA4,Q,M) vs FQPF9N50CT

TK8A45DA(STA4,Q,M)备选型号: FQPF9N50CT

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  • 功率耗散
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK8A45DA(STA4,Q,M)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    7.5A Tc
    Tube
    π-MOSVII
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    35W
    N-Channel
    450V
    7.5A
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF9N50CT
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    9A Tc
    Tube
    QFET®
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    N-Channel
    -
    9A
    -
    符合RoHS标准
    2.27g
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    500V
    9A
    Single
    44W
    800m Ω @ 4.5A, 10V
    1030pF @ 25V
    35nC @ 10V
    65ns
    ±30V
    64 ns
    30V
    500V
    无铅
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