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TN0620N3-G备选型号: VN10LP
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 螺纹距离
- 阈值电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 达到SVHC
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3-Pin TO-926 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)3219.992299mgSILICON250mA Tj-55°C~150°C TJBulk2013e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)低阈值BOTTOM1Single增强型MOSFET1W10 nsN-ChannelSWITCHING6 Ω @ 500mA, 10V1.6V @ 1mA150pF @ 25V8ns±20V20 ns250mA20V0.25A6Ohm200V5.33mm5.21mm4.19mm无ROHS3 Compliant-------------- MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-317 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)3453.59237mgSILICON270mA Ta-55°C~150°C TJBulk2006e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)-BOTTOM1Single增强型MOSFET625mW-N-Channel-5 Ω @ 500mA, 10V2.5V @ 1mA60pF @ 25V-±20V-270mA20V0.27A-60V4.01mm4.77mm2.41mm无ROHS3 Compliantyes5Ohm60VWIRE260270mA4031.27mm2.5V5 pF无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZVNL120A | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 | 对比 |
| ZVP2106A | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line | 对比 |
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