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首页 全部分类 TPD8E003DQDR vs NUP8010MNT1G

TPD8E003DQDR备选型号: NUP8010MNT1G

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  • 峰值脉冲电流
  • 峰值脉冲功率
  • 单向通道
  • 单向通道数
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  • 器件厚度
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  • 无铅
  • 底架
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 已出版
  • 端子表面处理
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 电压 - 反向断态（典型值）
  • 测试电流
  • Rep Pk反向电压-最大值
  • 电容@频率
  • 反向击穿电压
  • 击穿电压-最大值
  • Texas Instruments
    TPD8E003DQDR
    Texas Instruments
    TVS DIODE 10V 8WSON
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    Gold
    表面贴装
    8-WFDFN Exposed Pad
    YES
    6V
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Zener
    通用型
    12pF
    55W
    DUAL
    260
    1
    0.4mm
    1.35mm
    TPD8E003
    8
    5.5V
    2.5V
    单向
    100nA
    无
    2A 8/20μs
    10V
    2A
    55W
    8
    8
    800μm
    1.7mm
    1.35mm
    750μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NUP8010MNT1G
    ON Semiconductor
    TVS DIODE 3VWM 13VC DFN8
    OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
    -
    -
    表面贴装
    8-VFDFN Exposed Pad
    -
    5.6V
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    Zener
    通用型
    -
    -
    DUAL
    265
    -
    -
    -
    NUP8010
    8
    -
    -
    单向
    1μA
    无
    1.6A 8/20μs
    13V
    1.6A
    20W
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    8
    SILICON
    2006
    Tin (Sn)
    40
    3V Max
    1mA
    3V
    13pF @ 1MHz
    5.3V
    5.9V
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