TPS2811D备选型号: TPS2812D
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 基本部件号
- 引脚数量
- 输出的数量
- 最大输出电流
- 电源
- 电源电流
- 功率耗散
- 输出电流
- 最大电源电流
- 传播延迟
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 输出特性
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 输出极性
- 输入特性
- 上升/下降时间(Typ)
- 接口IC类型
- 信道型
- 接通时间
- 输出峰值电流限制-名
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高边驱动器
- 关断时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 输出电压
- IC DUAL 2A INV FET DRIVER 8-SOICACTIVE (Last Updated: 2 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)875.891673mgLow-Side-40°C~125°C TATubee4yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)730mW4V~14VDUAL鸥翼260210VTPS2811822A10V5mA730mW2A200nA50 nsInverting50 nsTOTEM-POLE35ns35 nsINVERTED触发器14ns 15ns基于NAND门的MOSFET驱动器Synchronous0.05 µs2AN-Channel, P-Channel MOSFET2A 2AYES0.05 µs1.75mm4.9mm3.91mm1.58mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-
- IC DUAL HS FET DRIVER 8-SOICACTIVE (Last Updated: 2 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)875.891673mg1V 4V-40°C~125°C TATubee4yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)730mW4V~14VDUAL鸥翼260210VTPS2812822A10V5mA730mW2A-50 nsNon-Inverting50 nsTOTEM-POLE35ns35 nsTRUE触发器14ns 15ns基于NAND门的MOSFET驱动器Synchronous0.05 µs2AN-Channel, P-Channel MOSFET2A 2AYES0.05 µs1.75mm4.9mm3.91mm1.58mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅15.5V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TPS2814DR | Texas Instruments | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC | 对比 |
| NCP1031DR2G | ON Semiconductor | PMIC - AC DC 转换器,离线转换开关 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC CTRLR PWM OTP OVD HV 8SOIC | 对比 | |
![]() | TPS2814D | Texas Instruments | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC DUAL HS FET DRIVER 8-SOIC | 对比 |



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