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首页 全部分类 TPS28226D vs TPS28225DR

TPS28226D备选型号: TPS28225DR

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  • 高压侧电压-最大值(自举)
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  • 宽度
  • 器件厚度
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  • 无铅
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  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • Texas Instruments
    TPS28226D
    Texas Instruments
    IC SINK SYNC MOSFET DVR 2A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    72.603129mg
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tube
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1.25W
    6.8V~8.8V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    7.2V
    2MHz
    TPS28226
    8
    2
    4A
    7.2V
    Single
    1.25W
    6A
    Non-Inverting
    10ns
    10 ns
    10ns 10ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Synchronous
    6A
    N-Channel MOSFET
    YES
    33V
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    TPS28225DR
    Texas Instruments
    IC SYNC MOSFET DVR 4A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    72.603129mg
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1.25W
    4.5V~8.8V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    7.2V
    -
    TPS28225
    8
    2
    4A
    7.2V
    Single
    1.25W
    6A
    Non-Inverting
    10ns
    10 ns
    10ns 10ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Synchronous
    6A
    N-Channel MOSFET
    YES
    33V
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    500μA
    14 ns
    14 ns
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