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首页 全部分类 TRF37C73IDSGT vs AD8354ACP-R2

TRF37C73IDSGT备选型号: AD8354ACP-R2

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  • 无铅
  • 底架
  • 电源电流
  • 功率耗散
  • 射频类型
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    TRF37C73IDSGT
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS TRF37C73IDSGT RF AMP, 11DB, 6GHZ, WSON-8
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    8-WFDFN Exposed Pad
    YES
    8
    10.886217mg
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    85°C
    -40°C
    182mW
    1
    COMPONENT
    1MHz~6GHz
    TRF37C73
    3.3V
    1
    2GHz
    55mA
    65mA
    17dB
    宽带低功率
    50Ohm
    3.5dB
    16.5dBm
    800μm
    2mm
    2mm
    750μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Analog Devices Inc.
    AD8354ACP-R2
    Analog Devices Inc.
    IC RF GAIN BLOCK 8-LFCSP
    -
    -
    表面贴装
    8-VFDFN Exposed Pad, CSP
    -
    8
    -
    Cut Tape (CT)
    e0
    no
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    -
    85°C
    -40°C
    812mW
    1
    COMPONENT
    1MHz~2.7GHz
    -
    5V
    1
    2.7GHz
    31mA
    -
    20dB
    宽带低功率
    50Ohm
    5.4 dB
    -
    -
    3mm
    2mm
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    表面贴装
    31mA
    812mW
    LMDS, MMDS
    无
  • 添加型号
RF/IF，射频/中频和 RFID相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
AD8353ACP-R2 AD8353ACP-R2 Analog Devices Inc. 射频放大器 8-VFDFN Exposed Pad, CSP IC RF GAIN BLOCK 8-LFCSP 对比