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首页 全部分类 TS372IN vs LM311N/NOPB

TS372IN备选型号: LM311N/NOPB

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  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
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  • 资历状况
  • 输出类型
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  • 功率耗散
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  • 每个通道的输出电流
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  • 平均偏置电流-最大值 (IIB)
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  • 电压 - 输入断态 （最小值）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 无铅代码
  • 终端
  • 端子间距
  • 工作电源电压
  • 电路数量
  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • 负电源电压(Vsup)
  • 电压增益
  • 最大输入电流
  • 最大输入偏正电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    TS372IN
    STMicroelectronics
    IC COMP LP DUAL CMOS VOLT 8 DIP
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    2
    -40°C~125°C
    Tube
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Differential
    Matte Tin (Sn)
    1.25W
    DUAL
    未说明
    2
    5V
    未说明
    TS372
    8
    不合格
    CMOS, MOS, Open-Drain, TTL
    5V
    375μA
    1.25W
    20mA
    375μA
    375μA
    600 ns
    3V~16V ±1.5V~8V
    45mA
    10mV
    0.0003μA
    5V
    1pA
    10mV @ 5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    LM311N/NOPB
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS LM311N/NOPB Comparator Type:General Purpose
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    1
    0°C~70°C
    Tube
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    通用型
    -
    500mW
    DUAL
    -
    1
    15V
    -
    LM311
    8
    -
    DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL
    -
    7.5mA
    500mW
    50mA
    -5mA
    5.1mA
    200 ns
    5V~36V ±2.5V~18V
    -
    7.5mV
    0.25μA
    9V
    250nA
    7.5mV @ ±15V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    4.535924g
    yes
    通孔
    2.54mm
    28V
    1
    100 ns
    100 ns
    -15V
    106.02dB
    250nA
    0.25μA @ ±15V
    5.08mm
    9.81mm
    6.35mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
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