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首页 全部分类 UF4008-G vs EGP10J

UF4008-G备选型号: EGP10J

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  • 包装
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  • 零件状态
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  • 终止次数
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 电容@Vr, F
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 正向电流
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 自然的热阻
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Comchip Technology
    UF4008-G
    Comchip Technology
    DIODE GEN PURP 1000V 1A DO41
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    DO-204AL, DO-41, Axial
    SILICON
    1
    Cut Tape (CT)
    2015
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    WIRE
    未说明
    未说明
    O-PALF-W2
    SINGLE
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 1000V
    1.7V @ 1A
    ISOLATED
    -55°C~150°C
    1A
    1000V
    1kV
    1A
    75 ns
    10pF @ 4V 1MHz
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    EGP10J
    ON Semiconductor
    Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-41 T/R
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    DO-204AL, DO-41, Axial
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2007
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    WIRE
    -
    -
    -
    -
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 600V
    1.7V @ 1A
    ISOLATED
    -65°C~150°C
    -
    -
    600V
    1A
    75 ns
    -
    符合RoHS标准
    2
    245mg
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -65°C
    8541.10.00.80
    15pF
    600V
    1A
    EGP10J
    Single
    2.5W
    1A
    1A
    30A
    1.7V
    5μA
    600V
    30A
    600V
    30A
    75 ns
    50 °C/W
    无
    无铅
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