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首页 全部分类 UMC5NT1G vs MSD1819A-RT1G

UMC5NT1G备选型号: MSD1819A-RT1G

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  • 终端形式
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  • 引脚数量
  • 极性
  • 配置
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  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
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  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 集电极电流-最大值(IC)
  • 最小直流增益（hFE）
  • 连续集电极电流
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 元素配置
  • 极性/通道类型
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    UMC5NT1G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
    YES
    5
    50V
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    50V
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    UMC5
    5
    PNP
    COMMON BASE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
    150mW
    SWITCHING
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    50V
    0.1A
    80
    100mA
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MSD1819A-RT1G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    50V
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    MSD1819A
    3
    -
    -
    150mW
    AMPLIFIER
    NPN
    60V
    60V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    500mV
    150°C TJ
    150mW
    DUAL
    Single
    NPN
    100mA
    210 @ 2mA 10V
    100nA
    500mV @ 10mA, 100mA
    50V
    7V
    900μm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
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