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US6K2TR备选型号: MCH3475-TL-W
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- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT616 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, Flat Leads6SILICON2150°C TJTape & Reel (TR)2007e2yes活跃1 (Unlimited)6EAR99380MOhmTin/Copper (Sn/Cu)30V1W2601.4A10*K26Dual增强型MOSFET1W6 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING240m Ω @ 1.4A, 10V2.5V @ 1mA70pF @ 10V2nC @ 5V6ns8 ns1.4A20V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅--
MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH36 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, Flat Lead3-1.8A Ta150°C TJTape & Reel (TR)-e6yesObsolete1 (Unlimited)---Tin/Bismuth (Sn/Bi)----------3.4 nsN-Channel-180m Ω @ 900mA, 10V2.6V @ 1mA88pF @ 10V2nC @ 10V3.6ns4 ns1.8A20V----符合RoHS标准无铅30V±20V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MCH6663-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 | 对比 |
| MCH3375-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET P-CH 30V 1.6A MCPH3 | 对比 |
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