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首页 全部分类 US6T4TR vs 2DB1713-13

US6T4TR备选型号: 2DB1713-13

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  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 终端
  • 终端形式
  • 频率
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 最大击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    US6T4TR
    ROHM Semiconductor
    TRANS PNP 12V 3A TUMT6
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    12V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    1W
    DUAL
    260
    10
    US6T
    6
    Single
    AMPLIFIER
    280MHz
    PNP
    PNP
    12V
    3A
    270 @ 500mA 2V
    100nA ICBO
    250mV @ 30mA, 1.5A
    280MHz
    15V
    6V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    2DB1713-13
    Diodes Incorporated
    DIODES INC. 2DB1713-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 12 V, 180 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    4
    SILICON
    12V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    900mW
    -
    260
    40
    2DB1713
    3
    Single
    SWITCHING
    180MHz
    PNP
    PNP
    12V
    3A
    270 @ 500mA 2V
    100nA ICBO
    250mV @ 30mA, 1.5A
    180MHz
    15V
    6V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    51.993025mg
    -250mV
    SMD/SMT
    FLAT
    180MHz
    R-PSSO-F3
    2W
    COLLECTOR
    900mW
    12V
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    无SVHC
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