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首页 全部分类 VND14NV04-E vs FDD5810-F085

VND14NV04-E备选型号: FDD5810-F085

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 输出类型
  • 最大输出电流
  • 界面
  • 电源电流
  • 输出配置
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 最大电源电流
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 开关类型
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 比率-输入：输出
  • 电压-负荷
  • 故障保护
  • 漏源击穿电压
  • 驱动器数量
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • 内置保护器
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    VND14NV04-E
    STMicroelectronics
    VND14NV04 Single Low Side 40 V 12 A 35 mOhm Power MosFet -TO-252-3
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    25 μs
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    OMNIFET II™, VIPower™
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    35mOhm
    Tin (Sn)
    74W
    SINGLE
    鸥翼
    260
    1
    2.25mm
    30
    VND14
    3
    R-PSSO-G2
    N-Channel
    12A
    On/Off
    100μA
    低侧
    74W
    18A
    不需要
    100μA
    Non-Inverting
    1.5 μs
    通用型
    9.7μs
    55V
    10.2 μs
    7A
    2.5V
    1:1
    36V Max
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    40V
    1
    4.5 μs
    18A
    35m Ω (Max)
    35mOhm
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    2.63mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD5810-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    29 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    7.4A Ta 37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    -
    -
    -
    88W
    -
    -
    -
    -
    12 ns
    -
    75ns
    -
    34 ns
    7.7A
    -
    -
    -
    -
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    260.37mg
    SILICON
    yes
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 32A, 10V
    2V @ 250μA
    1890pF @ 25V
    34nC @ 10V
    ±20V
    TO-252AA
    20V
    7.4A
    0.022Ohm
    45 mJ
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VND7NV04-E VND7NV04-E STMicroelectronics PMIC - 配电开关，负载驱动器 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK 对比