W25Q80DVSSIG备选型号: MX25L512EMI-10G
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- JESD-30代码
- 资历状况
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- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
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- 串行总线类型
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- 写入保护
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 温度等级
- 密度
- 备用内存宽度
- 无铅
- IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC10 Weeks表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)YESNon-Volatile-40°C~85°C TATubeSpiFlash®2016活跃3 (168 Hours)83VDUAL11.27mmS-PDSO-G8不合格3/3.3VSPI, Serial8Mb 1M x 8SYNCHRONOUS104MHzFLASHSPI8MX113ms0.000005A8388608 bit3VSPI100000 Write/Erase Cycles20HARDWARE/SOFTWARE3.6V2.7V5.23mm2.16mm5.23mmROHS3 Compliant-------------
- IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8SOP--SOICYESFLASH, NOR-----3 (168 Hours)83VDUAL11.27mmR-PDSO-G8不合格3/3.3VSPI, Serial-SYNCHRONOUS---256KX22-0.00001A-2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles20HARDWARE/SOFTWARE-2.7V4.9mm1.75mm3.9mm符合RoHS标准8e3Matte Tin (Sn)85°C-40°C鸥翼260104MHz40INDUSTRIAL512 kb1无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MX25L1606EM1I-12G | Macronix | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 16M SPI 86MHZ 8SOP | 对比 |
![]() | SST25VF020B-80-4I-SAE | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MICROCHIP - SST25VF020B-80-4I-SAE - Flash Memory, Serial NOR, 2 Mbit, 256K x 8bit, 4 Wire, Serial, SPI, SOIC, 8 Pins | 对比 |
| MX25L8006EM2I-12G | Macronix | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | IC FLASH 8M SPI 86MHZ 8SOP | 对比 |






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