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W631GG6KB-12备选型号: MT41K128M8DA-107:J

W631GG6KB-12

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

14 Weeks
表面贴装
表面贴装
96-TFBGA
96
Volatile
0°C~85°C TC
Tray
2016
Obsolete
3 (168 Hours)
96
EAR99
AUTO/SELF REFRESH
8542.32.00.32
1.425V~1.575V
BOTTOM
未说明
1
1.5V
0.8mm
未说明
96
不合格
1.5V
1.575V
1.425V
1Gb 64M x 16
1
280mA
SYNCHRONOUS
800MHz
20ns
DRAM
Parallel
16b
64MX16
3-STATE
16
13b
1 Gb
0.014A
COMMON
8192
8
8
13mm
1.2mm
ROHS3 Compliant
-
-
MT41K128M8DA-107:J

Micron Technology Inc.

DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 128Mx8 1.35V 78-Pin FBGA

16 Weeks
表面贴装
表面贴装
78-TFBGA
78
Volatile
0°C~95°C TC
Tray
2011
活跃
3 (168 Hours)
78
-
AUTO/SELF REFRESH
-
1.283V~1.45V
BOTTOM
-
1
1.35V
0.8mm
-
-
不合格
1.35V
1.45V
1.283V
1Gb 128M x 8
1
-
SYNCHRONOUS
933MHz
20ns
DRAM
Parallel
8b
128MX8
3-STATE
8
14b
1 Gb
-
COMMON
8192
8
8
10.5mm
1.2mm
ROHS3 Compliant
Copper, Silver, Tin
无铅
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	IS42S32200L-6BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	存储器	90-TFBGA	DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA	对比