W631GG6KB15I备选型号: IS43DR16160A-37CBL
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- 底架
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- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 最大电流源
- 数据总线宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 页面尺寸
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.5V 96-Pin WBGA表面贴装表面贴装96-TFBGA96Volatile240mA-40°C~95°C TCTray2008Obsolete3 (168 Hours)96EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.321.5VBOTTOM未说明10.8mm未说明不合格1Gb 64M x 161SYNCHRONOUS667MHz20nsDRAMParallel64MX163-STATE1616b1 Gb0.014ACOMMON1.575V1.425V81928813mm1.2mmROHS3 Compliant---------
- INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS43DR16160A-37CBL SDRAM, DDR2, 16M X 16, 1.8V, 84BGA表面贴装表面贴装84-TFBGA84Volatile270mA0°C~70°C TATray-Obsolete3 (168 Hours)84EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.241.8VBOTTOM26010.8mm40-256Mb 16M x 161-266MHz500psDRAMParallel16MX163-STATE1615b256 Mb0.005ACOMMON1.9V1.7V8192484812.5mm1.2mm符合RoHS标准e1yes锡银铜120mA16b15ns256MB无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT41K128M8DA-107:J | Micron Technology Inc. | 存储器 | 78-TFBGA | DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 128Mx8 1.35V 78-Pin FBGA | 对比 |




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