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首页 全部分类 W631GG6KB15I vs IS43DR16160A-37CBL

W631GG6KB15I备选型号: IS43DR16160A-37CBL

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  • 密度
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  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最大电源电流
  • 数据总线宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 页面尺寸
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Winbond Electronics
    W631GG6KB15I
    Winbond Electronics
    DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.5V 96-Pin WBGA
    表面贴装
    表面贴装
    96-TFBGA
    96
    Volatile
    -40°C~95°C TC
    Tray
    2008
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    96
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.32
    1.425V~1.575V
    BOTTOM
    未说明
    1
    1.5V
    0.8mm
    未说明
    96
    不合格
    1.5V
    1.575V
    1.425V
    1Gb 64M x 16
    1
    240mA
    SYNCHRONOUS
    667MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    64MX16
    3-STATE
    16
    16b
    1 Gb
    0.014A
    COMMON
    8192
    8
    8
    13mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43DR16160A-37CBL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS43DR16160A-37CBL SDRAM, DDR2, 16M X 16, 1.8V, 84BGA
    表面贴装
    表面贴装
    84-TFBGA
    84
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    84
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.24
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    260
    1
    1.8V
    0.8mm
    40
    84
    -
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    256Mb 16M x 16
    1
    270mA
    -
    266MHz
    500ps
    DRAM
    Parallel
    16MX16
    3-STATE
    16
    15b
    256 Mb
    0.005A
    COMMON
    8192
    48
    48
    12.5mm
    1.2mm
    符合RoHS标准
    e1
    yes
    锡银铜
    120mA
    16b
    15ns
    256MB
    无SVHC
    无
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