W966D6HBGX7I备选型号: IS42VM16160K-75BLI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 供电
- 内存大小
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- RoHS状态
- 表面安装
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 端口的数量
- 操作模式
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 达到SVHC
- IC PSRAM 64MBIT 133MHZ 54VFBGA14 Weeks表面贴装54-VFBGA54Volatile-40°C~85°C TCTube2015yes活跃3 (168 Hours)1.7V~1.95V64Mb 4M x 16133MHz70nsPSRAMParallelROHS3 Compliant-------------------------
- DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 16Mx16 Mobile SDR12 Weeks表面贴装54-TFBGA54Volatile-40°C~85°C TATray--活跃3 (168 Hours)1.7V~1.95V256Mb 16M x 16133MHz6nsDRAMParallelROHS3 CompliantYES54PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESHBOTTOM11.8V0.8mm不合格1.95V1.8V1.7V1SYNCHRONOUS16b16MX163-STATE160.00001ACOMMON81921248FP12488mm1.2mm无SVHC
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42VM16800H-75BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA | 对比 | |
| IS42VM16800H-75BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA | 对比 |



哦! 它是空的。