W9725G6KB-18备选型号: IS42S16400J-7B2LI

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  • 端子位置
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  • 密度
  • 待机电流-最大值
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  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 数据总线宽度
  • 反向引脚排列
  • 自我刷新
  • 辐射硬化
  • Winbond Electronics
    IC SDRAM 256MBIT 533MHZ 84BGA
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    84-TFBGA
    84
    Volatile
    0°C~85°C TC
    Tray
    2016
    活跃
    3 (168 Hours)
    84
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.24
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    未说明
    1
    1.8V
    0.8mm
    未说明
    84
    不合格
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    256Mb 16M x 16
    1
    130mA
    SYNCHRONOUS
    533MHz
    350ps
    DRAM
    Parallel
    16MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    15b
    256 Mb
    0.006A
    1.066GHz
    COMMON
    8192
    48
    48
    12.5mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz SDR SDRAM
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    60-TFBGA
    60
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    60
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.02
    3V~3.6V
    BOTTOM
    -
    1
    3.3V
    0.65mm
    -
    60
    -
    3.3V
    3.6V
    3V
    64Mb 4M x 16
    1
    90mA
    -
    143MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    4MX16
    3-STATE
    16
    -
    14b
    64 Mb
    -
    -
    COMMON
    4096
    1248FP
    1248
    10.1mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    Copper, Silver, Tin
    16b
    NO
    YES
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