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首页 全部分类 W9812G6KH-6I vs CY62256NLL-55ZXI

W9812G6KH-6I备选型号: CY62256NLL-55ZXI

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  • 工作电源电压
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  • 频率
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 最大电源电流
  • 输出特性
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 访问时间（最大）
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Winbond Electronics
    W9812G6KH-6I
    Winbond Electronics
    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54TSOP
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2016
    活跃
    3 (168 Hours)
    54
    AUTO/SELF REFRESH
    3V~3.6V
    DUAL
    未说明
    1
    3.3V
    0.8mm
    未说明
    R-PDSO-G54
    3.3V
    3.6V
    3V
    128Mb 8M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    166MHz
    5ns
    DRAM
    Parallel
    16b
    8MX16
    16
    12b
    1 Gb
    22.22mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY62256NLL-55ZXI
    Cypress Semiconductor Corp
    CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62256NLL-55ZXI IC, SRAM, 256KBIT, PARALLEL, 55NS 8-TSSO
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2002
    最后一次购买
    3 (168 Hours)
    28
    -
    4.5V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    5V
    0.55mm
    20
    -
    5V
    -
    -
    256Kb 32K x 8
    1
    -
    -
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    32KX8
    -
    15b
    256 kb
    11.9mm
    -
    ROHS3 Compliant
    28
    MoBL®
    e4
    yes
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1MHz
    CY62256
    28
    5V
    50mA
    50mA
    3-STATE
    55ns
    55 ns
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    2V
    1.02mm
    8.1mm
    Unknown
    无
    无铅
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