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ZVN3320A备选型号: STQ2HNK60ZR-AP
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 引脚数
- 操作温度
- 系列
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3通孔SOT-23SILICON1Bulk2006e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)8541.29.00.95200V625mWSINGLEWIRE260100mA403R-PSIP-W3不合格SINGLE增强型MOSFET330mWSWITCHING200VN-CHANNEL100mA20V0.1A200V45pFMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR25Ohm25 ΩROHS3 Compliant无铅---------------------
MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)SILICON500mA TcTape & Box (TB)-e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99----BOTTOM----3--SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-SWITCHING600V-500mA30V0.5A-----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8 WeeksTin通孔3-55°C~150°C TJSuperMESH™STQ210 nsN-Channel4.8 Ω @ 1A, 10V4.5V @ 50μA280pF @ 25V15nC @ 10V30ns±30V50 ns2A600V120 mJ无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFNL210BTA-FP001 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L | 对比 |
 | ZVN3320ASTOA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3 | MOSFET N-Chnl 200V | 对比 |
 | VN2222LLRLRA | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92 | 对比 |
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