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首页 全部分类 ZXMN2A03E6TA vs FDC638APZ

ZXMN2A03E6TA备选型号: FDC638APZ

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 资历状况
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  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • Diodes Incorporated
    ZXMN2A03E6TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    14.996898mg
    SILICON
    3.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    4.5A
    40
    6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.7W
    4.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 7.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    837pF @ 10V
    8.2nC @ 4.5V
    5.7ns
    ±12V
    5.7 ns
    4.6A
    12V
    3.7A
    0.055Ohm
    20V
    1.3mm
    3.1mm
    1.8mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC638APZ
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDC638APZ - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Surface Mount
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    4.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    -12V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    -4.5A
    未说明
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    6 ns
    P-Channel
    -
    43m Ω @ 4.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1000pF @ 10V
    12nC @ 4.5V
    20ns
    ±12V
    20 ns
    -4.5A
    12V
    -
    -
    -20V
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    PowerTrench®
    SMD/SMT
    43MOhm
    不合格
    20V
    -800mV
    20A
    -20V
    150°C
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