ZXMN2F30FHTA备选型号: IRFML8244TRPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 质量
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 操作模式
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R16 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装3SOT-23-37.994566mg4.1A Ta2008Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)SMD/SMT45mOhm150°C-55°C1Single960mW2.9 nsN-Channel45mOhm @ 2.5A, 4.5V1.5V @ 250μA452pF @ 10V4.8nC @ 4.5V5.6ns20V±12V5.6 ns4.9A900mV12V20V20V452pF45mOhm45 mΩ900 mV1.4mm3.04mm1.02mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------------
- MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT2312 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装3--5.8A Ta2008Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)-41MOhm---Single1.25W2.7 nsN-Channel24m Ω @ 5.8A, 10V2.35V @ 10μA430pF @ 10V5.4nC @ 10V2.1ns-±20V2.9 ns5.8A1.7V20V25V----1.7 V1.4mm3.04mm1.02mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SILICONMicro3HEXFET®e33EAR99Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼26030增强型MOSFETSWITCHING24A17 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 | 对比 |
![]() | DMP2100U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23 | 对比 |
![]() | ZXMN2F34FHTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET | 对比 |




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