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品牌是'General Electric' (4)
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 操作温度 | JESD-609代码 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | HTS代码 | 端子位置 | 终端形式 | 端子间距 | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 温度等级 | 配置 | 操作模式 | 电源电流-最大值 | 组织结构 | 输出特性 | 测试电流 | 内存宽度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 筛选水平 | 并行/串行 | 内存IC类型 | ESD保护 | 待机电压-最小值 | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 312A3867P2 | General Electric | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | DO-214AC | 400 W | Uni-Directional | 表面贴装 | Automotive grade | -55 to 150 °C | 2 | Single | 1 mA | 汽车 | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IM6508CJE | General Electric Solid State | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 16 | 1000 | 70 °C | CERAMIC | DIP | DIP16,.3 | RECTANGULAR | IN-LINE | 5 V | 无 | Obsolete | GENERAL ELECTRIC SOLID STATE | DIP, DIP16,.3 | 300 ns | 1024 words | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8542.32.00.41 | DUAL | THROUGH-HOLE | 2.54 mm | unknown | R-XDIP-T16 | 不合格 | COMMERCIAL | SYNCHRONOUS | 0.004 mA | 1KX1 | 3-STATE | 1 | 0.0001 A | 1024 bit | PARALLEL | 标准SRAM | 2 V | ||||||||||||||
| IM65X08AIJE | General Electric Solid State | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 16 | CERAMIC | -40 °C | 85 °C | 1000 | 1024 words | 200 ns | DIP, DIP16,.3 | GENERAL ELECTRIC SOLID STATE | Obsolete | 无 | 5 V | IN-LINE | RECTANGULAR | DIP16,.3 | DIP | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8542.32.00.41 | DUAL | THROUGH-HOLE | 2.54 mm | unknown | R-XDIP-T16 | 不合格 | INDUSTRIAL | SYNCHRONOUS | 0.01 mA | 1KX1 | 3-STATE | 1 | 0.00005 A | 1024 bit | PARALLEL | 标准SRAM | 2 V | |||||||||||||
| IM6518CPN | General Electric Solid State | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 18 | 1000 | 70 °C | PLASTIC/EPOXY | DIP | DIP18,.3 | RECTANGULAR | IN-LINE | 5 V | 无 | Obsolete | GENERAL ELECTRIC SOLID STATE | DIP, DIP18,.3 | 300 ns | 1024 words | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8542.32.00.41 | DUAL | THROUGH-HOLE | 2.54 mm | unknown | R-PDIP-T18 | 不合格 | COMMERCIAL | SYNCHRONOUS | 0.004 mA | 1KX1 | 3-STATE | 1 | 0.0001 A | 1024 bit | PARALLEL | 标准SRAM | 2 V |