GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量																厂商																																		操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	数据总线宽度	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	最高频率	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	访问模式	产品类别	组织的记忆	长度
GS8161Z36DGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR								Compliant	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36		Bulk	GS8161Z36DGT				NBT		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage														18 Mbit	4			230 mA, 250 mA	5.5 ns					512 k x 36					19 b	SRAM	18 Mb												SRAM				无
GS864036GT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP-100	YES	100	100-TQFP (20x14)	100	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	GSI Technology Inc.	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Tray	GS864036	活跃	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS864036GT-250I	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.77	QFP	Industrial grade	153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	-40 to 85 °C	Tray	GS864036GT	e3	有	3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	纯哑光锡			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Synchronous, Standard	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant		R-PQFP-G100	不合格		INDUSTRIAL	72 Mbit	4	SYNCHRONOUS	250 MHz	275 mA, 380 mA	6.5 ns	SRAM	Parallel	Flow-Through/Pipelined		2 M x 36		1.6 mm	36	-	21 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit		Industrial	PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V		SRAM	2M x 36	20 mm	14 mm
GS4288C18L-25I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	144						Compliant											95 °C	-40 °C					1.8 V																					18 b						23 b		288 Mb			400 MHz													无
GS4288C36GL-18	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	uBGA-144	YES	144	144	8388608 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.1	BGA				Compliant	有	533 MHz	+ 95 C	1.9 V	0 C	36	1.7 V	SMD/SMT	GSI技术	GSI技术	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY		未说明	有	GS4288C36GL-18			GS4288C36GL			3A991.B.2.B	LLDRAM II		95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B144				288 Mbit	1	SYNCHRONOUS		475 mA					36 b	8 M x 36		1.2 mm	36		22 b	DRAM	288 Mb		301989888 bit	533 MHz				DDR DRAM		1.9 V	1.7 V	多库页面突发	DRAM			11 mm	无
GS74108AX-10I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	48	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	10 ns	85 °C	无	GS74108AX-10I	524288 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR		GSI技术	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.18	BGA				TFBGA,					无	3A991.B.2.B						8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	0.75 mm	compliant		R-PBGA-B48	不合格		INDUSTRIAL			ASYNCHRONOUS								512KX8		1.2 mm	8						4194304 bit			PARALLEL		标准SRAM		3.6 V	3 V				10 mm	6 mm
GS8182Q36BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.9 V	36 Bit	512 kWords	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8182Q36BGD-250	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.48	BGA	Commercial grade			250 MHz	FBGA	DDR	表面贴装	0 to 70 °C	Tray	GS8182Q36BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		660 mA	450 ps			Pipelined		512 k x 36		1.4 mm	36		18 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit		Commercial	PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V		SRAM		15 mm	13 mm
GS8640Z36GT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	2 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	18		2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS8640Z36GT-200	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.34	QFP	Commercial grade			TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	0 to 70 °C	Tray	GS8640Z36GT	e3	有	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	纯哑光锡			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant		R-PQFP-G100	不合格		COMMERCIAL	72 Mbit	4	SYNCHRONOUS		230 mA, 310 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		2 M x 36		1.6 mm	36			SRAM	72 Mb		75497472 bit		Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V		SRAM		20 mm	14 mm
GS8162Z36DGD-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Industrial grade						FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18		1.7 V	SMD/SMT	Parallel	-40 to 100 °C	Tray	GS8162Z36DGD				NBT Pipeline/Flow Through		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage														18 Mbit	4			195 mA, 210 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		512 k x 36					19 b	SRAM	18 Mbit				Industrial								SRAM				无
GS880Z36BGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	100	100	GS880Z36BGT-150	262144 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	Rochester Electronics LLC	接触制造商	ROCHESTER ELECTRONICS LLC		5.62					Compliant	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	256000	PLASTIC/EPOXY	7.5 ns	70 °C						3A991.B.2.A			70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		QUAD	鸥翼		1	0.65 mm	unknown	150 MHz	R-PQFP-G100			COMMERCIAL	1.1 MB	4	SYNCHRONOUS								256KX36		1.6 mm	36		18 b		9 Mb		9437184 bit			PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V				20 mm	14 mm	无
GS81302QT19E-318I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.9 V	表面贴装	有	318 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C		10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	无	GS81302QT19E-318I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.88	Industrial grade			318 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	-40 to 100 °C	Tray	GS81302QT19E			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2						Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165				144 Mbit	2	SYNCHRONOUS		1.275 A				Pipelined		8 M x 18		1.5 mm	18		22 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit		Industrial	PARALLEL		QDR SRAM		1.9 V	1.7 V		SRAM		17 mm	15 mm
GS81302DT38GE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Industrial grade						450 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C		10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302DT38GE				SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage														144 Mbit	2			1.54 A				Pipelined		4 M x 36					20 Bit	SRAM	144 Mbit				Industrial								SRAM
GS81284Z18GB-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Industrial grade						125@Flow-Through/167@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	167 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		10	2.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS81284Z18GB				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage														144 Mbit	2			350 mA, 400 mA	8 ns			Flow-Through/Pipelined		8 M x 18					23 Bit	SRAM	144 Mbit				Industrial								SRAM
GS8342D36BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8342D36BGD-250	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.32	BGA	Commercial grade			250 MHz	FBGA	QDR	0 to 85 °C	Tray	GS8342D36BGD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS		675 mA				Pipelined		1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36		18 Bit	SRAM	36 Mbit	0.185 A	37748736 bit		Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V		SRAM		15 mm	13 mm
GS8342Q36BGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	GSI Technology Inc.	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Tray	GS8342Q	活跃	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342Q36BGD-250I	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.76	BGA	Industrial grade	250 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q36BGD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.7V ~ 1.9V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	250 MHz	835 mA		SRAM	Parallel	Pipelined		1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36	-	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.215 A	37748736 bit		Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V		SRAM	1M x 36	15 mm	13 mm
GS72116AGP-8I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	44	44	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3	128000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	8 ns	85 °C	有	GS72116AGP-8I	131072 words	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR		GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.71	TSOP2				0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44					有	3A991.B.2.B		Pure Matte Tin (Sn)				8542.32.00.41		CMOS		DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	compliant		R-PDSO-G44	不合格		INDUSTRIAL			ASYNCHRONOUS								128KX16		1.2 mm	16						2097152 bit			PARALLEL		标准SRAM		3.6 V	3 V				18.41 mm	10.16 mm
GS8182Q18BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Compliant	Commercial grade						300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8182Q18BD				SigmaQuad-II		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V												18 Mbit	2			800 mA				Pipelined		1 M x 18					19 Bit	SRAM	18 Mbit				Commercial								SRAM				无
GS8182Q36BD-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	LBGA,		GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.5 ns	85 °C	无	GS8182Q36BD-167I	524288 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA			有	167 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Compliant		Tray	GS8182Q36BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Lead (Sn/Pb)	85 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant		R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		495 mA						512 k x 36		1.4 mm	36		18 b	SRAM	18 Mb		18874368 bit			PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V		SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8342Q36BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	0.45 ns	70 °C	无	GS8342Q36BD-300	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.35	BGA	Commercial grade			300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342Q36BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II		85 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS		970 mA				Pipelined		1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36		19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.225 A	37748736 bit		Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V		SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8182Q18BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165		GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8182Q18BD-250	1048576 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.17	BGA			Compliant	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	LBGA,		Tray	GS8182Q18BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Lead (Sn/Pb)	70 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		595 mA						1 M x 18		1.4 mm	18		19 b	SRAM	18 Mb		18874368 bit			PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V		SRAM		15 mm	13 mm	无
GS816018BGT-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8644Z36GE-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.7, 2.3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C		15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS8644Z36GE-250V	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.28	BGA	Commercial grade			153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	0 to 70 °C	Tray	GS8644Z36GE	e1	有	3A991.B.2.B	NBT	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	72 Mbit	4	SYNCHRONOUS		270 mA, 400 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		2 M x 36		1.5 mm	36		21 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit		Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		2 V	1.7 V		SRAM		17 mm	15 mm
GS81302D09E-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II	Commercial grade						350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V		0 C	10	0 to 85 °C	Bulk	GS81302D09E				SigmaQuad-II		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V												144 Mbit	2			940 mA				Pipelined		16 M x 9					22 Bit	SRAM	144 Mbit				Commercial								SRAM				无
GS81302QT07E-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	Commercial grade						200 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	表面贴装	Compliant	有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10		1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	0 to 85 °C	Bulk	GS81302QT07E				SigmaQuad-II+ B2		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V												144 Mbit	2			875 mA				Pipelined		16 M x 8					23 b	SRAM	144 Mbit				Commercial								SRAM				无
GS81284Z36GB-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	119	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT		Parallel	BGA,	网格排列	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	有	GS81284Z36GB-200IV	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.89	BGA	Industrial grade			200 MHz	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	200 MHz	-40 to 85 °C		GS81284Z36GB	e1	有	3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			PIPELINE AND FLOW THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 2.3V TO 2.7V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1.27 mm	compliant		R-PBGA-B119	不合格		INDUSTRIAL	144 Mbit	4	SYNCHRONOUS		385 mA, 475 mA	7.5 ns					4 M x 36		1.99 mm	36				144 Mbit		150994944 bit		Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		2 V	1.7 V				22 mm	14 mm
GS8642Z72C-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-209	YES	209	209	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	72 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	Compliant	LBGA, BGA209,11X19,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA209,11X19,40	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS8642Z72C-250I	250 MHz	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.18	BGA	Industrial grade			153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	-40 to 85 °C	Tray	GS8642Z72C		无	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		85 °C	-40 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B209	不合格	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	72 Mbit	8	SYNCHRONOUS		340 mA, 480 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 72	3-STATE	1.7 mm	72		20 Bit	SRAM	72 Mbit	0.12 A	75497472 bit		Industrial	PARALLEL	COMMON	ZBT SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V		SRAM		22 mm	14 mm	无