GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量					Current - Supply (Nom)												厂商																																		操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	同步/异步	字长	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	产品类别	组织的记忆
GS832036GT-133	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	100	100	QFP						LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	1000000		PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	8.5 ns	70 °C	有	GS832036GT-133	133 MHz	1048576 words	2.5 V	LQFP		RECTANGULAR	GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.7				e3	有	3A991.B.2.B		纯哑光锡			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant		R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL			SYNCHRONOUS		0.16 mA					1MX36	3-STATE	1.6 mm	36					0.06 A	37748736 bit		PARALLEL	COMMON			缓存SRAM	3.14 V	2.7 V	2.3 V				20 mm	14 mm
GS72116AU-12	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	48	TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000		PLASTIC/EPOXY	未说明	12 ns	70 °C	无	GS72116AU-12	131072 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术		不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA									无	3A991.B.2.B						8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	0.75 mm	compliant		R-PBGA-B48	不合格		COMMERCIAL			ASYNCHRONOUS							128KX16		1.2 mm	16						2097152 bit		PARALLEL				标准SRAM		3.6 V	3 V				8 mm	6 mm
GS74116ATP-12I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8342S18BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	N	DDR	Commercial grade							250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V		1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		0 to 85 °C	Tray	GS8342S18BD				SigmaSIO DDR-II						Memory & Data Storage														36 Mbit	2			460 mA	450 ps			Pipelined	2 M x 18					20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial										SRAM
GS8342Q18BGD-250T	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	YES	165	165	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.35	BGA	Commercial grade					250 MHz	1.8000 V	Synchronous	2 MWords		18 Bit	表面贴装	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有		GS8342Q18BGD-250T	0 to 70 °C					3A991.B.2.B					流水线结构	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL		1	SYNCHRONOUS		0.665 mA				Pipelined	2MX18	3-STATE	1.4 mm	18		20 Bit		36 Mbit	0.205 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE			QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V				15 mm	13 mm
GS8161Z18BD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1					Compliant															70 °C	0 °C																		2													20 b		18 Mb																	无
GS8161Z36BD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165	165			13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY		-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS8161Z36BD-200I	524288 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术		Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.62	BGA							e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant		R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL			SYNCHRONOUS							512KX36		1.4 mm	36						18874368 bit		PARALLEL				ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V				15 mm	13 mm
GS8662T20BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	4 MWords		Synchronous	1.7 V	1.8000 V	DDR	FBGA	400 MHz	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8662T20BGD-400	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.43	BGA	Commercial grade				表面贴装	1.9 V	18 Bit	0 to 85 °C	Tray	GS8662T20BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	72 Mbit	1	SYNCHRONOUS		625 mA				Pipelined	4 M x 18		1.4 mm	18		21 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Commercial	PARALLEL				DDR SRAM		1.9 V	1.7 V		SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8160E36DGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	SDR	LQFP,		FLATPACK, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS8160E36DGT-200	524288 words	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.78	QFP				Compliant	有	200 MHz	+ 85 C		3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst		Bulk	GS8160E36DGT			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		85 °C	0 °C	ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant		R-PQFP-G100			COMMERCIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS		210 mA	6.5 ns				512 k x 36		1.6 mm	36		20 b	SRAM	18 Mb		18874368 bit		PARALLEL				缓存SRAM		2 V	1.7 V		SRAM		20 mm	14 mm	无
GS8642Z36B-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119			133.3@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V		2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V		SMD/SMT	Parallel	Industrial grade					-40 to 85 °C																										72 Mbit	4			250 mA, 330 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined	2 M x 36					21 Bit		72 Mbit			Industrial
GS8160E32DGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100		3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR									Compliant	有	200 MHz	+ 85 C		Bulk	GS8160E32DGT				Pipeline/Flow Through		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage														18 Mbit	4			210 mA	6.5 ns				512 k x 32					20 b	SRAM	18 Mb													SRAM				无
GS88218CB-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade							表面贴装	2.7, 3.6 V	18 Bit	512 kWords		Synchronous	2.3, 3 V	2.5, 3.3 V	SDR	FBGA	181.5@Flow-Through/250@Pipelined MHz	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		42	-40 to 85 °C	Tray	GS88218CB				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage														9 Mbit	2			165 mA, 200 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 18					19 Bit	SRAM	9 Mbit			Industrial										SRAM
GS8644Z36GE-133I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Details	SDR							117.6@Flow-Through/133@Pipelined MHz	FBGA	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V		Synchronous	36 Bit	2.7, 3.6 V	有	133 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	15	2.3 V	SMD/SMT		Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	-40 to 85 °C	Tray	GS8644Z36GE				NBT						Memory & Data Storage														72 Mbit				255 mA, 305 mA	8.5@Flow-Through/4@P				2 M x 36						SRAM			72											SRAM
GS816218DB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	119	SDR	BGA,		网格排列	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	无	GS816218DB-250	1048576 words	BGA	5.25	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	BGA	2.5 V				有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V		0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N		Tray	GS816218DB			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant		R-PBGA-B119			COMMERCIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS		210 mA, 230 mA	5.5 ns				1 M x 18		1.99 mm	18			SRAM			18874368 bit		PARALLEL				缓存SRAM		2.7 V	2.3 V		SRAM		22 mm	14 mm
GS88136CGT-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade							200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V		2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		0 to 70 °C	Tray	GS88136CGT				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage														9 Mbit	1			165 mA, 225 mA	5 ns			Flow-Through/Pipelined	256 k x 36					17 Bit	SRAM	9 Mbit			Commercial										SRAM
GS72108AGP-12	GSI Technology	数据表	32 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	44	44			TSOP2, TSOP44,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3	256000		PLASTIC/EPOXY	TSOP44,.46,32	未说明	12 ns	70 °C	有	GS72108AGP-12	262144 words	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR		GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.76	TSOP2							有	3A991.B.2.B		Pure Matte Tin (Sn)				8542.32.00.41		CMOS		DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	compliant		R-PDSO-G44	不合格		COMMERCIAL			ASYNCHRONOUS		0.08 mA					256KX8	3-STATE	1.2 mm	8					0.015 A	2097152 bit		PARALLEL	COMMON			标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V	YES			18.41 mm	10.16 mm
GS8182Q36BD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165	570 mA	GS8182Q36BD-200I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.67	BGA			512000	Compliant	200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明		0.45 ns	85 °C	无				e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	85 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	200 MHz	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		570 mA	450 ps				512 k x 36		1.4 mm	36		18 b		18 Mb		18874368 bit		PARALLEL		Synchronous	36 b	DDR SRAM		1.9 V	1.7 V				15 mm	13 mm	无
GS8161E36DD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165		3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR									Compliant	有	150 MHz	+ 70 C		Bulk	GS8161E36DD				DCD Pipeline/Flow Through		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage														18 Mbit	4			180 mA, 190 mA	7.5 ns				512 k x 36					19 b	SRAM	18 Mb													SRAM				无
GS8161Z18DD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165		3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR									Compliant	有	150 MHz	+ 70 C		Bulk	GS8161Z18DD				NBT		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage														18 Mbit	2			170 mA, 180 mA	7.5 ns				1 M x 18					20 b	SRAM	18 Mb													SRAM				无
GS8642Z36B-167V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119		1.7, 2.3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	167 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C		14	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	BGA,	网格排列	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	8 ns	70 °C	无	GS8642Z36B-167V	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.16	BGA	Commercial grade				125@Flow-Through/167@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	0 to 70 °C	Tray	GS8642Z36B	e0	无	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)	70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant		R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL	72 Mbit	4	SYNCHRONOUS		220 mA, 270 mA	8 ns			Flow-Through/Pipelined	2 M x 36		1.99 mm	36		21 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Commercial	PARALLEL				ZBT SRAM		2 V	1.7 V		SRAM		22 mm	14 mm	无
GS71116AGP-7E	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TSOP-44					有	3.6 V	270	3 V		SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	Details							GS71116AGP				Asynchronous						Memory & Data Storage														1 Mbit				145 mA	7 ns				64 k x 16						SRAM														SRAM
GS8162Z18DGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	GSI技术	Parallel	LBGA,		GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	85 °C	有	GS8162Z18DGD-250	1048576 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA				有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V		0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	SDR	Details	NBT SRAM	GSI技术		Tray	GS8162Z18DGD			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		85 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格		OTHER	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		210 mA, 230 mA	5.5 ns				1 M x 18		1.4 mm	18		20 b	SRAM	18 Mb		18874368 bit		PARALLEL				ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V		SRAM		15 mm	13 mm	无
GS81302QT19GE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x17)	165	FBGA	QDR	1.8000 V		1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	GSI Technology Inc.	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Tray	GS81302QT19	活跃	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	BGA	7.62	GSI TECHNOLOGY	不推荐	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	GS81302QT19GE-300I	有	85 °C	Industrial grade		300 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS81302QT19GE	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.7V ~ 1.9V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	300 MHz	1.26 A	450 ps	SRAM	Parallel	Pipelined	8 M x 18		1.5 mm	18	-	22 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit	Industrial	PARALLEL				QDR SRAM		1.9 V	1.7 V		SRAM	8M x 18	17 mm	15 mm
GS81302Q08E-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165					250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V		1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade			0 to 85 °C		GS81302Q08E						85 °C	0 °C					1.8 V												144 Mbit	2			1.06 A				Pipelined	16 M x 8					23 Bit		144 Mbit			Commercial														无
GS8662DT38BGD-550I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V		1.7 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	550 MHz	+ 85 C	1.9 V		- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8662DT38BGD-550I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.66	BGA	Industrial grade				550 MHz	FBGA	QDR	-40 to 100 °C	Bulk	GS8662DT38BGD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+		100 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165			INDUSTRIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS		1.285 A				Pipelined	2 M x 36		1.4 mm	36		19 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL				QDR SRAM		1.9 V	1.7 V		SRAM		15 mm	13 mm	无