品牌是'GSI' (10000)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

包装/外壳

表面安装

引脚数

终端数量

操作温度

包装

系列

JESD-609代码

无铅代码

ECCN 代码

类型

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

子类别

技术

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

内存大小

端口的数量

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

建筑学

组织结构

输出特性

座位高度-最大

内存宽度

地址总线宽度

产品类别

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

并行/串行

I/O类型

内存IC类型

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

产品类别

长度

宽度

辐射硬化

GS88018CGT-200V
GS88018CGT-200V
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

TQFP-100

YES

100

100

1.8, 2.5 V

1.7, 2.3 V

Synchronous

512 kWords

18 Bit

2, 2.7 V

表面贴装

有

200 MHz

+ 70 C

2.7 V

0 C

66

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SyncBurst

Details

SDR

LQFP,

FLATPACK, LOW PROFILE

3

512000

PLASTIC/EPOXY

未说明

6.5 ns

70 °C

有

GS88018CGT-200V

1.8 V

LQFP

RECTANGULAR

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.3

QFP

Commercial grade

200 MHz

TQFP

SDR

0 to 70 °C

Tray

GS88018CGT

e3

有

3A991.B.2.B

同步突发

Matte Tin (Sn)

70 °C

0 °C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY

8542.32.00.41

Memory & Data Storage

CMOS

QUAD

鸥翼

260

1

0.65 mm

compliant

R-PQFP-G100

不合格

COMMERCIAL

9 Mbit

2

SYNCHRONOUS

115 mA, 140 mA

6.5 ns

Flow-Through/Pipelined

512 k x 18

1.6 mm

18

19 Bit

SRAM

9 Mbit

9437184 bit

Commercial

PARALLEL

缓存SRAM

2 V

1.7 V

SRAM

20 mm

14 mm

无

GS81302T19E-450I
GS81302T19E-450I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaDDR-II+

DDR-II

Industrial grade

450 MHz

表面贴装

1.9 V

18 Bit

8 MWords

Synchronous

1.7 V

1.8000 V

DDR

FBGA

有

450 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

1.7 V

SMD/SMT

-40 to 100 °C

Tray

GS81302T19E

SigmaDDR-II+ B2

Memory & Data Storage

144 Mbit

1

1.01 A

Pipelined

8 M x 18

22 Bit

SRAM

144 Mbit

Industrial

SRAM

GS81302D11E-500I
GS81302D11E-500I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

YES

165

165

GSI技术

SigmaQuad-II+

LBGA,

GRID ARRAY, LOW PROFILE

16000000

PLASTIC/EPOXY

未说明

0.37 ns

无

GS81302D11E-500I

1.8 V

LBGA

RECTANGULAR

不推荐

GSI TECHNOLOGY

5.62

BGA

Industrial grade

500 MHz

FBGA

QDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

16 MWords

9 Bit

1.9 V

表面贴装

有

10

GSI技术

-40 to 100 °C

Tray

GS81302D11E

3A991.B.2.B

流水线结构

8542.32.00.41

Memory & Data Storage

CMOS

BOTTOM

BALL

未说明

1

1 mm

compliant

R-PBGA-B165

不合格

2

SYNCHRONOUS

Pipelined

16MX9

1.5 mm

9

22 Bit

SRAM

144 Mbit

150994944 bit

Industrial

PARALLEL

DDR SRAM

1.9 V

1.7 V

SRAM

17 mm

15 mm

GS8182R08BD-250
GS8182R08BD-250
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

YES

165

165

无

GS8182R08BD-250

2097152 words

1.8 V

LBGA

RECTANGULAR

GSI技术

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.18

BGA

LBGA,

GRID ARRAY, LOW PROFILE

2000000

PLASTIC/EPOXY

未说明

0.45 ns

70 °C

e0

无

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn/Pb)

流水线结构

8542.32.00.41

CMOS

BOTTOM

BALL

未说明

1

1 mm

not_compliant

R-PBGA-B165

不合格

COMMERCIAL

SYNCHRONOUS

2MX8

1.4 mm

8

16777216 bit

PARALLEL

DDR SRAM

1.9 V

1.7 V

15 mm

13 mm

GS74116AX-12E
GS74116AX-12E
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-48

48

表面贴装

3.6 V

135

3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

N

FBGA

3.3000 V

3 V

Asynchronous

256 kWords

16 Bit

3.6 V

-40 to 125 °C

GS74116AX

Asynchronous

Memory & Data Storage

4 Mbit

1

90 mA

12 ns

256 k x 16

18 Bit

SRAM

4 Mbit

扩展工业

SRAM

GS81302TT07GE-400I
GS81302TT07GE-400I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaDDR-II+

Details

DDR-II

Industrial grade

400 MHz

FBGA

DDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

16 MWords

8 Bit

1.9 V

表面贴装

有

400 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

1.7 V

-40 to 100 °C

Tray

GS81302TT07GE

SigmaDDR-II+ B2

100 °C

-40 °C

Memory & Data Storage

1.8 V

144 Mbit

1

905 mA

Pipelined

16 M x 8

23 Bit

SRAM

144 Mbit

Industrial

SRAM

无

GS8662D38BD-450M
GS8662D38BD-450M
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

BGA-165

YES

165

165

表面贴装

有

450 MHz

+ 125 C

1.9 V

- 55 C

15

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II

DDR

LBGA,

GRID ARRAY, LOW PROFILE

2000000

PLASTIC/EPOXY

-55 °C

未说明

0.45 ns

125 °C

无

GS8662D38BD-450M

1.8 V

LBGA

RECTANGULAR

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.76

Military grade

450 MHz

FBGA

QDR

1.8000 V

Synchronous

2 MWords

36 Bit

Tray

GS8662D38BD

3A991.B.2.B

SigmaQuad-II+

Memory & Data Storage

CMOS

BOTTOM

BALL

未说明

1

1 mm

compliant

R-PBGA-B165

MILITARY

72 Mbit

SYNCHRONOUS

Pipelined

2 M x 36

1.4 mm

36

21 Bit

SRAM

72 Mbit

75497472 bit

Military

PARALLEL

QDR SRAM

1.9 V

1.7 V

SRAM

15 mm

13 mm

GS81302Q10GE-300I
GS81302Q10GE-300I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II+

Details

QDR-II

Industrial grade

300 MHz

FBGA

QDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

表面贴装

1.9 V

9 Bit

16 MWords

有

300 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

1.7 V

-40 to 100 °C

Tray

GS81302Q10GE

SigmaQuad-II+ B2

100 °C

-40 °C

Memory & Data Storage

1.8 V

144 Mbit

2

1.26 A

Pipelined

16 M x 9

23 Bit

SRAM

144 Mbit

Industrial

SRAM

无

GS8182T09BD-167
GS8182T09BD-167
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Compliant

70 °C

0 °C

1.8 V

1

20 b

18 Mb

无

GS81302S18E-350I
GS81302S18E-350I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaSIO DDR-II

DDR-II

Compliant

Industrial grade

350 MHz

FBGA

DDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

8 MWords

18 Bit

1.9 V

表面贴装

有

350 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

1.7 V

-40 to 100 °C

Tray

GS81302S18E

SigmaSIO DDR-II

100 °C

-40 °C

Memory & Data Storage

1.8 V

144 Mbit

2

950 mA

Pipelined

8 M x 18

22 Bit

SRAM

144 Mbit

Industrial

SRAM

无

GS8673EQ36BGK-725IS
GS8673EQ36BGK-725IS
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-260

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-IIIe

QDR-III

Compliant

有

725 MHz

+ 100 C

1.4 V

- 40 C

8

1.3 V

SMD/SMT

Tray

GS8673EQ36BGK

SigmaQuad-IIIe B2

85 °C

-40 °C

Memory & Data Storage

1.35 V

72 Mbit

3.33 A

2 M x 36

20 b

SRAM

72 Mb

SRAM

无

GS81302S08E-350I
GS81302S08E-350I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaSIO DDR-II

DDR-II

Industrial grade

表面贴装

1.9 V

8 Bit

16 MWords

Synchronous

1.7 V

1.8000 V

DDR

FBGA

350 MHz

Compliant

有

350 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

-40 to 100 °C

Bulk

GS81302S08E

SigmaSIO DDR-II

100 °C

-40 °C

Memory & Data Storage

1.8 V

144 Mbit

2

950 mA

Pipelined

16 M x 8

23 Bit

SRAM

144 Mb

Industrial

SRAM

无

GS81302T19GE-450
GS81302T19GE-450
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

GSI技术

SigmaDDR-II+

DDR-II

Commercial grade

450 MHz

FBGA

DDR

1.8000 V

Synchronous

8 MWords

18 Bit

表面贴装

Compliant

有

450 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

10

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

0 to 85 °C

Bulk

GS81302T19GE

SigmaDDR-II+ B2

85 °C

0 °C

Memory & Data Storage

1.8 V

144 Mbit

1

1 A

Pipelined

8 M x 18

22 b

SRAM

144 Mbit

Commercial

SRAM

无

GS81302DT38GE-500
GS81302DT38GE-500
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

165

500 MHz

FBGA

QDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

4 MWords

36 Bit

1.9 V

表面贴装

Compliant

Commercial grade

0 to 85 °C

Bulk

85 °C

0 °C

1.8 V

2

Pipelined

20 Bit

144 Mbit

Commercial

无

GS8322Z18AB-375M
GS8322Z18AB-375M
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

BGA-119

YES

119

119

2.3, 3 V

Synchronous

2 MWords

18 Bit

2.7, 3.6 V

表面贴装

有

375 MHz

+ 125 C

3.6 V

- 55 C

14

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

NBT SRAM

SDR

BGA, BGA119,7X17,50

网格排列

2000000

PLASTIC/EPOXY

BGA119,7X17,50

-55 °C

4.2 ns

125 °C

无

GS8322Z18AB-375M

375 MHz

2.5 V

BGA

RECTANGULAR

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.55

Military grade

238@Flow-Through/375@Pipelined MHz

FBGA

SDR

2.5, 3.3 V

-55 to 125 °C

Tray

GS8322Z18AB

3A991.B.2.B

NBT Pipeline/Flow Through

ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY; PIPELINE MODE

Memory & Data Storage

CMOS

BOTTOM

BALL

1

1.27 mm

compliant

R-PBGA-B119

不合格

2.5/3.3 V

MILITARY

36 Mbit

2

SYNCHRONOUS

270 mA, 360 mA

4.2 ns

Flow-Through/Pipelined

2 M x 18

3-STATE

1.99 mm

18

21 Bit

SRAM

36 Mbit

0.09 A

37748736 bit

Military

PARALLEL

COMMON

ZBT SRAM

2.3 V

2.7 V

2.3 V

SRAM

22 mm

14 mm

GS81302TT37GE-400I
GS81302TT37GE-400I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaDDR-II+

Details

DDR-II

Industrial grade

400 MHz

FBGA

DDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

4 MWords

36 Bit

1.9 V

表面贴装

有

400 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

1.7 V

-40 to 100 °C

Tray

GS81302TT37GE

SigmaDDR-II+ B2

Memory & Data Storage

144 Mbit

1

1.005 A

Pipelined

4 M x 36

21 Bit

SRAM

144 Mbit

Industrial

SRAM

GS81302Q37E-318
GS81302Q37E-318
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II+

N

QDR-II

Commercial grade

318 MHz

FBGA

QDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

4 MWords

36 Bit

1.9 V

表面贴装

有

318 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

10

1.7 V

0 to 85 °C

Tray

GS81302Q37E

SigmaQuad-II+ B2

Memory & Data Storage

144 Mbit

2

1.44 A

Pipelined

4 M x 36

21 Bit

SRAM

144 Mbit

Commercial

SRAM

GS881E36CD-200I
GS881E36CD-200I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

BGA-165

YES

165

165

2.3, 3 V

Synchronous

256 kWords

36 Bit

2.7, 3.6 V

表面贴装

有

200 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SyncBurst

SDR

LBGA,

GRID ARRAY, LOW PROFILE

256000

PLASTIC/EPOXY

-40 °C

未说明

6.5 ns

85 °C

无

GS881E36CD-200I

2.5 V

LBGA

RECTANGULAR

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.15

BGA

Industrial grade

153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz

FBGA

SDR

2.5, 3.3 V

-40 to 85 °C

Tray

GS881E36CD

e0

无

3A991.B.2.B

DCD Pipeline/Flow Through

Tin/Lead (Sn/Pb)

PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY

8542.32.00.41

Memory & Data Storage

CMOS

BOTTOM

BALL

未说明

1

1 mm

not_compliant

R-PBGA-B165

不合格

INDUSTRIAL

9 Mbit

4

SYNCHRONOUS

160 mA, 190 mA

6.5 ns

Flow-Through/Pipelined

256 k x 36

1.4 mm

36

18 Bit

SRAM

9 Mbit

9437184 bit

Industrial

PARALLEL

缓存SRAM

2.7 V

2.3 V

SRAM

15 mm

13 mm

GS81302D20GE-500
GS81302D20GE-500
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

0 C

1.9 V

+ 70 C

500 MHz

有

QDR-II

Details

SigmaQuad-II+

GSI技术

GSI技术

Parallel

SMD/SMT

1.7 V

10

Tray

GS81302D20GE

SigmaQuad-II+

Memory & Data Storage

144 Mbit

1.36 A

8 M x 18

SRAM

144

SRAM

GS881E36CGD-250
GS881E36CGD-250
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Compliant

70 °C

0 °C

4

18 b

9 Mb

无

GS881E32CGT-250I
GS881E32CGT-250I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TQFP-100

GSI技术

GSI技术

SyncBurst

Details

SDR

有

250 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

Tray

GS881E32CGT

DCD Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

9 Mbit

175 mA, 215 mA

5.5 ns

256 k x 32

SRAM

SRAM

GS8182D37BGD-400
GS8182D37BGD-400
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II+

Details

DDR

有

400 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

18

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

Tray

GS8182D37BGD

SigmaQuad II+

Memory & Data Storage

18 Mbit

670 mA

500 ps

512 k x 36

SRAM

SRAM

GS8160Z18BGT-200
GS8160Z18BGT-200
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

100

100

1000000

PLASTIC/EPOXY

未说明

6.5 ns

70 °C

有

GS8160Z18BGT-200

1048576 words

2.5 V

LQFP

RECTANGULAR

GSI技术

Obsolete

GSI TECHNOLOGY

5.66

QFP

LQFP,

FLATPACK, LOW PROFILE

3

e3

有

3A991.B.2.B

纯哑光锡

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY

8542.32.00.41

CMOS

QUAD

鸥翼

260

1

0.65 mm

compliant

R-PQFP-G100

不合格

COMMERCIAL

SYNCHRONOUS

1MX18

1.6 mm

18

18874368 bit

PARALLEL

ZBT SRAM

2.75 V

2.25 V

20 mm

14 mm

GS8673ED36BGK-625S
GS8673ED36BGK-625S
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-260

YES

260

网格排列

2000000

PLASTIC/EPOXY

85 °C

有

GS8673ED36BGK-625S

2097152 words

1.35 V

BGA

RECTANGULAR

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.73

Compliant

有

625 MHz

+ 85 C

1.4 V

0 C

8

1.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-IIIe

DDR

BGA,

Tray

GS8673ED36BGK

3A991.B.2.B

SigmaQuad-IIIe B4

70 °C

0 °C

8542.32.00.41

Memory & Data Storage

CMOS

1.35 V

BOTTOM

BALL

1

1 mm

compliant

R-PBGA-B260

OTHER

72 Mbit

SYNCHRONOUS

2.97 A

2 M x 36

2.3 mm

36

19 b

SRAM

72 Mb

75497472 bit

PARALLEL

DDR SRAM

1.4 V

1.3 V

SRAM

22 mm

14 mm

无

GS8342Q36AE-167
GS8342Q36AE-167
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1