品牌是'GSI' (10000)
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | Current - Supply (Nom) | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | JESD-30代码 | 资历状况 | 温度等级 | 内存大小 | 端口的数量 | 操作模式 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 建筑学 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 并行/串行 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 电压 - 供电 (最大值) | 电压 - 供电 (最小值) | 访问模式 | 产品类别 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GS8342T18AE250I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | YES | 165 | 165 | 610 mA | Compliant | LBGA, | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 2000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 0.45 ns | 85 °C | 无 | GS8342T18AE-250I | 2097152 words | 1.8 V | LBGA | RECTANGULAR | GSI技术 | Obsolete | GSI TECHNOLOGY | 5.32 | BGA | 无 | 3A991.B.2.B | 85 °C | -40 °C | 流水线结构 | 8542.32.00.41 | CMOS | 1.8 V | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1 mm | compliant | 250 MHz | R-PBGA-B165 | 不合格 | INDUSTRIAL | 1 | SYNCHRONOUS | 450 ps | 2MX18 | 1.5 mm | 18 | 21 b | 36 Mb | 37748736 bit | PARALLEL | Synchronous | 18 b | DDR SRAM | 1.9 V | 1.7 V | 17 mm | 15 mm | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS71108AGU-10I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | YES | 48 | 48 | 5.21 | BGA | Compliant | TFBGA, | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 3 | 128000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 10 ns | 85 °C | 有 | GS71108AGU-10I | 131072 words | 3.3 V | TFBGA | RECTANGULAR | GSI技术 | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | e1 | 有 | 3A991.B.2.B | 锡银铜 | 85 °C | -40 °C | 8542.32.00.41 | CMOS | 3.3 V | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 0.75 mm | compliant | R-PBGA-B48 | 不合格 | INDUSTRIAL | 1 | ASYNCHRONOUS | 128KX8 | 1.2 mm | 8 | 17 b | 1 Mb | 1048576 bit | PARALLEL | 标准SRAM | 3.6 V | 3 V | 8 mm | 6 mm | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS81302R08GE-333I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | 165 | DDR-II | Industrial grade | FBGA | 1.8000 V | 1.7 V | 8 Bit | 1.9 V | Compliant | 有 | 333 MHz | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 10 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaDDR-II | -40 to 100 °C | Tray | GS81302R08GE | SigmaDDR-II B4 | 100 °C | -40 °C | Memory & Data Storage | 1.8 V | 144 Mbit | 2 | 765 mA | 0.45 | 16 M x 8 | 22 b | SRAM | 144 Mb | 144 | Industrial | SRAM | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS4288C36L-24I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 144 | 144 | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.1 | BGA | Industrial grade | 400 MHz | UBGA | 36 Bit | 表面贴装 | Compliant | TBGA, | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 8000000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | GS4288C36L-24I | 8388608 words | 1.8 V | TBGA | RECTANGULAR | GSI技术 | -40 to 95 °C | 3A991.B.2.B | LLDRAM | 95 °C | -40 °C | 自动刷新 | 8542.32.00.28 | CMOS | 5 V | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1 mm | compliant | R-PBGA-B144 | 1 | SYNCHRONOUS | 36 Bit | 8MX36 | 1.2 mm | 36 | 22 Bit | 288 Mbit | 301989888 bit | 400 MHz | Industrial | DDR DRAM | 1.9 V | 1.7 V | 多库页面突发 | 11 mm | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS4288C36L-33I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | YES | 144 | 144 | GSI TECHNOLOGY | 5.1 | BGA | Industrial grade | 300 MHz | UBGA | 36 Bit | 表面贴装 | Compliant | TBGA, | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 8000000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | GS4288C36L-33I | 8388608 words | 1.8 V | TBGA | RECTANGULAR | GSI技术 | 活跃 | -40 to 95 °C | 3A991.B.2.B | LLDRAM | 95 °C | -40 °C | 自动刷新 | 8542.32.00.28 | CMOS | 5 V | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1 mm | compliant | R-PBGA-B144 | 1 | SYNCHRONOUS | 36 Bit | 8MX36 | 1.2 mm | 36 | 22 Bit | 288 Mbit | 301989888 bit | 300 MHz | Industrial | DDR DRAM | 1.9 V | 1.7 V | 多库页面突发 | 11 mm | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS81302D36E-375 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | 165 | + 70 C | 1.9 V | 0 C | 10 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaQuad-II | QDR-II | Commercial grade | 375 MHz | FBGA | QDR | 1.8000 V | 1.7 V | Synchronous | 4 MWords | 36 Bit | 1.9 V | 表面贴装 | Compliant | 有 | 375 MHz | 0 to 85 °C | Bulk | GS81302D36E | SigmaQuad-II | 85 °C | 0 °C | Memory & Data Storage | 1.8 V | 144 Mbit | 2 | 1.105 A | Pipelined | 4 M x 36 | 20 Bit | SRAM | 144 Mbit | Commercial | SRAM | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS4288C36L-18I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 144 | 144 | 5.1 | GSI TECHNOLOGY | 活跃 | GSI技术 | RECTANGULAR | TBGA | 1.8 V | 8388608 words | GS4288C36L-18I | 无 | 未说明 | PLASTIC/EPOXY | 8000000 | GRID ARRAY, THIN PROFILE | TBGA, | Compliant | BGA | 3A991.B.2.B | 95 °C | -40 °C | 自动刷新 | 8542.32.00.28 | CMOS | 1.8 V | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1 mm | compliant | R-PBGA-B144 | 1 | SYNCHRONOUS | 36 b | 8MX36 | 1.2 mm | 36 | 22 b | 288 Mb | 301989888 bit | 533 MHz | DDR DRAM | 1.9 V | 1.7 V | 多库页面突发 | 11 mm | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS4288C09L-24 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 144 | Compliant | 95 °C | 0 °C | 1.8 V | 9 b | 24 b | 288 Mb | 288 | 400 MHz | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS4288C09L-18 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 144 | Compliant | 95 °C | 0 °C | 1.8 V | 9 b | 24 b | 288 Mb | 288 | 533 MHz | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS4288C09GL-25I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 144 | Compliant | 95 °C | -40 °C | 1.8 V | 9 b | 24 b | 288 Mb | 400 MHz | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS81302D08GE-250I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | 165 | 250 MHz | FBGA | QDR | 1.8000 V | 1.7 V | Synchronous | 16 MWords | 8 Bit | 1.9 V | 表面贴装 | Compliant | 250 MHz | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | Industrial grade | -40 to 100 °C | 100 °C | -40 °C | 1.8 V | 144 Mbit | 2 | 710 mA | Pipelined | 16 M x 8 | 22 Bit | 144 Mbit | Industrial | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS81302Q09GE-250I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | 165 | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 10 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaQuad-II | QDR-II | Industrial grade | 250 MHz | FBGA | QDR | 1.8000 V | 1.7 V | Synchronous | 16 MWords | 9 Bit | 1.9 V | 表面贴装 | Compliant | 有 | 250 MHz | -40 to 100 °C | Tray | GS81302Q09GE | SigmaQuad-II | 100 °C | -40 °C | Memory & Data Storage | 1.8 V | 144 Mbit | 2 | 1.07 A | Pipelined | 16 M x 9 | 23 Bit | SRAM | 144 Mbit | Industrial | SRAM | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS4288C18L-18I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 144 | 144 | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 16000000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | GS4288C18L-18I | 16777216 words | 1.8 V | TBGA | RECTANGULAR | GSI技术 | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.68 | BGA | Compliant | TBGA, | 3A991.B.2.B | 95 °C | -40 °C | 自动刷新 | 8542.32.00.28 | CMOS | 1.8 V | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1 mm | compliant | R-PBGA-B144 | 1 | SYNCHRONOUS | 18 b | 16MX18 | 1.2 mm | 18 | 23 b | 288 Mb | 301989888 bit | 533 MHz | DDR DRAM | 1.9 V | 1.7 V | 多库页面突发 | 11 mm | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS81302T09GE-333I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | 165 | 1.9 V | - 40 C | 10 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaDDR-II | Details | DDR-II | Industrial grade | 333 MHz | FBGA | DDR | 1.8000 V | 1.7 V | Synchronous | 16 MWords | 9 Bit | 1.9 V | 表面贴装 | 有 | 333 MHz | + 85 C | -40 to 100 °C | Tray | GS81302T09GE | SigmaDDR-II B2 | 100 °C | -40 °C | Memory & Data Storage | 1.8 V | 144 Mbit | 2 | 765 mA | Pipelined | 16 M x 9 | 23 Bit | SRAM | 144 Mb | Industrial | SRAM | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS81302R08GE-300I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | 165 | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 10 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaDDR-II | DDR-II | Industrial grade | 300 MHz | FBGA | DDR | 1.8000 V | 1.7 V | Synchronous | 16 MWords | 8 Bit | 1.9 V | 表面贴装 | Compliant | 有 | 300 MHz | -40 to 100 °C | Tray | GS81302R08GE | SigmaDDR-II B4 | 100 °C | -40 °C | Memory & Data Storage | 1.8 V | 144 Mbit | 2 | 700 mA | Pipelined | 16 M x 8 | 22 Bit | SRAM | 144 Mbit | Industrial | SRAM | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS4288C09GL-18I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 144 | 144 | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 32000000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | GS4288C09GL-18I | 33554432 words | 1.8 V | TBGA | RECTANGULAR | GSI技术 | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.63 | BGA | Compliant | TBGA, | 3A991.B.2.B | 95 °C | -40 °C | 自动刷新 | 8542.32.00.28 | CMOS | 1.8 V | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1 mm | compliant | R-PBGA-B144 | 1 | SYNCHRONOUS | 9 b | 32MX9 | 1.2 mm | 9 | 24 b | 288 Mb | 301989888 bit | 533 MHz | DDR DRAM | 1.9 V | 1.7 V | 多库页面突发 | 11 mm | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS81302QT37GE-200I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 165 | 1.7 V | 1.8000 V | QDR | Compliant | Industrial grade | 200 MHz | FBGA | 表面贴装 | 1.9 V | 36 Bit | 4 MWords | Synchronous | -40 to 100 °C | Bulk | 100 °C | -40 °C | 1.8 V | 2 | Pipelined | 21 Bit | 144 Mbit | Industrial | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS4288C09GL-25 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 144 | Compliant | 95 °C | 0 °C | 1.8 V | 9 b | 24 b | 288 Mb | 400 MHz | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS4288C18GL-24 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 144 | 144 | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 16000000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | GS4288C18GL-24 | 16777216 words | 1.8 V | TBGA | RECTANGULAR | GSI技术 | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.62 | BGA | Compliant | TBGA, | 3A991.B.2.B | 95 °C | 0 °C | 自动刷新 | 8542.32.00.28 | CMOS | 1.8 V | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1 mm | compliant | R-PBGA-B144 | 1 | SYNCHRONOUS | 18 b | 16MX18 | 1.2 mm | 18 | 23 b | 288 Mb | 301989888 bit | 400 MHz | DDR DRAM | 1.9 V | 1.7 V | 多库页面突发 | 11 mm | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS4288C18GL-18 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 144 | 144 | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 16000000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | GS4288C18GL-18 | 16777216 words | 1.8 V | TBGA | RECTANGULAR | GSI技术 | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.62 | BGA | Compliant | TBGA, | 3A991.B.2.B | 95 °C | 0 °C | 自动刷新 | 8542.32.00.28 | CMOS | 1.8 V | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1 mm | compliant | R-PBGA-B144 | 1 | SYNCHRONOUS | 18 b | 16MX18 | 1.2 mm | 18 | 23 b | 288 Mb | 301989888 bit | 533 MHz | DDR DRAM | 1.9 V | 1.7 V | 多库页面突发 | 11 mm | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS4288C18GL-33I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 144 | 144 | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 16000000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | GS4288C18GL-33I | 16777216 words | 1.8 V | TBGA | RECTANGULAR | GSI技术 | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.62 | BGA | Compliant | TBGA, | 3A991.B.2.B | 95 °C | -40 °C | 自动刷新 | 8542.32.00.28 | CMOS | 1.8 V | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1 mm | compliant | R-PBGA-B144 | 1 | SYNCHRONOUS | 18 b | 16MX18 | 1.2 mm | 18 | 23 b | 288 Mb | 301989888 bit | 300 MHz | DDR DRAM | 1.9 V | 1.7 V | 多库页面突发 | 11 mm | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS4288C18L-24 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 144 | Compliant | 95 °C | 0 °C | 1.8 V | 18 b | 23 b | 288 Mb | 400 MHz | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS81302DT11GE-350I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | 165 | QDR | 1.8000 V | Synchronous | 16 MWords | 9 Bit | 表面贴装 | 350 MHz | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | Industrial grade | 350 MHz | FBGA | -40 to 100 °C | 144 Mbit | 2 | 950 mA | Pipelined | 16 M x 9 | 22 Bit | 144 Mbit | Industrial | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS81302DT06E-450I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | 165 | 450 MHz | FBGA | QDR | 1.8000 V | 1.7 V | Synchronous | 16 MWords | 8 Bit | 1.9 V | 表面贴装 | 450 MHz | Parallel | SMD/SMT | 1.7 V | - 40 C | 1.9 V | + 85 C | Industrial grade | -40 to 100 °C | GS81302DT06E | 144 Mbit | 2 | 1.185 A | Pipelined | 16 M x 8 | 22 Bit | 144 Mbit | Industrial | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS72116AGU-12 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | YES | 48 | 48 | TFBGA, | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 3 | 128000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 12 ns | 70 °C | 有 | GS72116AGU-12 | 131072 words | 3.3 V | TFBGA | RECTANGULAR | GSI技术 | 不推荐 | GSI TECHNOLOGY | 5.21 | BGA | e1 | 有 | 3A991.B.2.B | 锡银铜 | 8542.32.00.41 | CMOS | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 0.75 mm | compliant | R-PBGA-B48 | 不合格 | COMMERCIAL | ASYNCHRONOUS | 128KX16 | 1.2 mm | 16 | 2097152 bit | PARALLEL | 标准SRAM | 3.6 V | 3 V | 8 mm | 6 mm |
GS8342T18AE250I
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分类:Memory
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