GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																													操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	长度
GS81284Z36B-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	Commercial grade				153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	10	0 to 70 °C	Tray	GS81284Z36B				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													144 Mbit	4		380 mA, 500 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	4 M x 36				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302QT19E-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	Industrial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	-40 to 100 °C	Tray	GS81302QT19E				SigmaQuad-II+ B2						Memory & Data Storage													144 Mbit	2		1.26 A		Pipelined	8 M x 18				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302Q08E-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				300 MHz	FBGA	0 to 85 °C		GS81302Q08E																							144 Mbit	2		1.25 A		Pipelined	16 M x 8				23 Bit		144 Mbit			Commercial
GS81302R18E-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II	Industrial grade				333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302R18E				SigmaDDR-II B4						Memory & Data Storage													144 Mbit	2		765 mA		Pipelined	8 M x 18				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302DT20E-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	Industrial grade				500 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302DT20E				SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage													144 Mbit	2		1.37 A		Pipelined	8 M x 18				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302DT11GE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Industrial grade				500 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	-40 to 100 °C	Tray	GS81302DT11GE				SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage													144 Mbit	2		1.27 A		Pipelined	16 M x 9				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS78132AB-10I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-119	YES	119	119	3.6 V	表面贴装	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	21	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	N	SDR	BGA,	网格排列	3	256000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	10 ns	85 °C	无	GS78132AB-10I	3.3 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.23	BGA	Industrial grade	FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	256 kWords	32 Bit	-40 to 85 °C		GS78132AB	e0	无	3A991.B.2.B	Asynchronous	锡铅			THIS PACKAGE IS ALSO AVAILABLE IN 2.19 MM SEATED HEIGHT.	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		INDUSTRIAL	8 Mbit	4	ASYNCHRONOUS	230 mA	10 ns		256 k x 32		1.99 mm	32	18 Bit	SRAM	8 Mbit		8388608 bit	Industrial	PARALLEL		标准SRAM		3.6 V	3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS81302Q09E-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8000 V	Synchronous	9 Bit	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II				250 MHz	FBGA	-40 to 100 °C	Tray	GS81302Q09E				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													144 Mbit			1.07 A	0.45		16 M x 9					SRAM			144								SRAM
GS81302T08E-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR-II	Commercial grade				375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	0 to 85 °C	Tray	GS81302T08E				SigmaDDR-II B2						Memory & Data Storage													144 Mbit	2		845 mA		Pipelined	16 M x 8				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302D18GE-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	QDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS81302D18GE-333I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.33	BGA	Industrial grade	333 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS81302D18GE	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	900 mA		Pipelined	8 M x 18		1.5 mm	18	21 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit	Industrial	PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	17 mm	15 mm
GS81302DT38E-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				350 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	36 Bit	1.9 V	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	-40 to 100 °C																									144 Mbit			1.18 A	0.45		4 M x 36								144	Industrial
GS81302D09E-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	165	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	10	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Industrial grade					333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302D09E										Memory & Data Storage														2				Pipelined					22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS81284Z36GB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Commercial grade				153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	10	0 to 70 °C	Tray	GS81284Z36GB				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													144 Mbit	4		380 mA, 500 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	4 M x 36				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302QT37E-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	Commercial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS81302QT37E				SigmaQuad-II+ B2						Memory & Data Storage													144 Mbit	2		1.13 A		Pipelined	4 M x 36				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302R36GE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	Details	DDR-II	Industrial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	-40 to 100 °C	Tray	GS81302R36GE				SigmaDDR-II B4						Memory & Data Storage													144 Mbit	2		790 mA		Pipelined	4 M x 36				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302T36E-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II	Industrial grade				333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302T36E				SigmaDDR-II B2						Memory & Data Storage													144 Mbit	2		860 mA		Pipelined	4 M x 36				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302T18E-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II	Industrial grade				333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302T18E				SigmaDDR-II B2						Memory & Data Storage													144 Mbit	2		765 mA		Pipelined	8 M x 18				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302DT06GE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	QDR-II	Details	SigmaQuad-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	Industrial grade				450 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	-40 to 100 °C	Tray	GS81302DT06GE				SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage													144 Mbit	2		1.185 A		Pipelined	16 M x 8				22 Bit	SRAM	144 Mb			Industrial							SRAM
GS81302DT11E-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	16 MWords	9 Bit	表面贴装	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	LBGA,	BGA	5.06	GSI TECHNOLOGY	不推荐	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	GS81302DT11E-450	无	70 °C	0.45 ns	未说明	PLASTIC/EPOXY	16000000	GRID ARRAY, LOW PROFILE	Commercial grade	450 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	0 to 85 °C	Tray	GS81302DT11E		无	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	1.175 A		Pipelined	16 M x 9		1.5 mm	9	22 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit	Commercial	PARALLEL		QDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	17 mm	15 mm
GS81302Q08GE-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	QDR-II	Commercial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	0 to 85 °C	Tray	GS81302Q08GE				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													144 Mbit	2		1.06 A		Pipelined	16 M x 8				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302Q09E-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	QDR-II	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	0 to 85 °C	Tray	GS81302Q09E				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													144 Mbit	2		1.25 A		Pipelined	16 M x 9				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302DT38E-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.9 V	表面贴装	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS81302DT38E-450I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.06	BGA	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade	450 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	-40 to 100 °C		GS81302DT38E		无	3A991.B.2.B					流水线结构	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	1.54 A		Pipelined	4MX36		1.5 mm	36	20 Bit		144 Mbit		150994944 bit	Industrial	PARALLEL		QDR SRAM		1.9 V	1.7 V		17 mm	15 mm
GS74117AGX-8I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks, 5 Days	BGA-119	YES	48	48	135	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	Details	SDR	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	256000	PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	-40 °C	未说明	8 ns	85 °C	有	GS74117AGX-8I	262144 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	16 Bit	3.6 V	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	-40 to 85 °C		GS74117AGX	e1	有	3A991.B.2.B	Asynchronous	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)	85 °C	-40 °C		8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	3.3 V	BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	INDUSTRIAL	4 Mbit	1	ASYNCHRONOUS	140 mA	8		256 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16	18 b	SRAM	4 Mb	0.02 A	4		PARALLEL	COMMON	标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V	SRAM	10 mm	6 mm	无
GS81284Z18B-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	YES	119	119	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	167 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	10	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	BGA,	网格排列	8000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	8 ns	85 °C	无	GS81284Z18B-167I	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA	Industrial grade		125@Flow-Through/167@Pipelined MHz	FBGA	-40 to 85 °C	Tray	GS81284Z18B	e0	无	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		INDUSTRIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	350 mA, 400 mA	8 ns	Flow-Through/Pipelined	8MX18		1.99 mm	18	23 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS81284Z18B-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	YES	119	119	2.3, 3 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	10	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	BGA,	网格排列	8000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	无	GS81284Z18B-200I	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA	Industrial grade		FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS81284Z18B	e0	无	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		INDUSTRIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	360 mA, 435 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	8MX18		1.99 mm	18		SRAM	144 Mbit		150994944 bit	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm