GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																											操作温度	包装	系列	ECCN 代码	类型	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	记忆密度	筛选水平	并行/串行	内存IC类型	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	长度	宽度	辐射硬化
GS8672Q36BGE-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	QDR-II					有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15		Tray	GS8672Q36BGE		SigmaQuad-II	85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V									72 Mbit	2		1.1 A			2 M x 36			20 b	SRAM	72 Mb	72						SRAM		无
GS8672Q38BGE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	15	0 C	1.9 V					有	400 MHz	+ 70 C	QDR-II	Details	SigmaQuad-II+		Tray	GS8672Q38BGE		SigmaQuad-II+ B2	85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V									72 Mbit	2		1.86 A			2 M x 36			20 b	SRAM	72 Mb	72						SRAM		无
GS8161Z32DD-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	Compliant	有	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SDR	NBT SRAM	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	无	GS8161Z32DD-150IV	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.3	BGA	Industrial grade	-40 to 100 °C	Bulk	GS8161Z32DD	3A991.B.2.B	NBT	100 °C	-40 °C	FLOW THROUGH AND PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	195 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32	1.4 mm	32	19 Bit	SRAM	18 Mbit	33554432 bit	Industrial	PARALLEL	ZBT SRAM	2 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm	无
GS8672T36BGE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II					Compliant	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		Tray	GS8672T36BGE		SigmaDDR-II	70 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V									72 Mbit	1		1.43 A			2 M x 36			21 b	SRAM	72 Mb	72						SRAM		无
GS8161Z18DGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	Industrial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Compliant	有	150 MHz	+ 85 C	-40 to 85 °C	Bulk	GS8161Z18DGT		NBT	85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage											18 Mbit	2		190 mA, 200 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		20 Bit	SRAM	18 Mbit		Industrial					SRAM			无
GS8182D09BGD-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR					有	167 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18		Tray	GS8182D09BGD		SigmaQuad-II					Memory & Data Storage											18 Mbit			325 mA			2 M x 9				SRAM								SRAM
GS8672T38BGE-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II					有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15		Tray	GS8672T38BGE		SigmaDDR-II+ B2					Memory & Data Storage											72 Mbit			1.57 A			2 M x 36				SRAM		72						SRAM
GS8672D20BGE-500	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II					有	500 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15		Tray	GS8672D20BGE		SigmaQuad-II+ B4					Memory & Data Storage											72 Mbit			1.61 A			4 M x 18				SRAM		72						SRAM
GS8672D20BE-500M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+						有	15		Tray	GS8672D20BE							Memory & Data Storage																					SRAM		72						SRAM
GS8672D20BE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II					有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8672D20BE		SigmaQuad-II+ B4					Memory & Data Storage											72 Mbit			1.51 A			4 M x 18				SRAM		72						SRAM
GS88037CGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36		Tray	GS88037CGT		Pipeline					Memory & Data Storage											9 Mbit			170 mA			256 k x 36				SRAM								SRAM
GS841Z18CGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR					有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72		Tray	GS841Z18CGT		NBT Pipeline/Flow Through					Memory & Data Storage											4 Mbit			165 mA, 200 mA	5.5 ns		256 k x 18				SRAM								SRAM
GS8672Q19BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II					有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8672Q19BE		SigmaQuad-II+					Memory & Data Storage											72 Mbit			1.38 A			4 M x 18				SRAM		72						SRAM
GS841Z18CGT-100	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR					有	100 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72		Tray	GS841Z18CGT		NBT Pipeline/Flow Through					Memory & Data Storage											4 Mbit			110 mA, 110 mA	12 ns		256 k x 18				SRAM								SRAM
GS8182Q36BD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR					有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8182Q36BD		SigmaQuad-II					Memory & Data Storage											18 Mbit			560 mA			512 k x 36				SRAM								SRAM
GS8672Q20BGE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II					有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15		Tray	GS8672Q20BGE		SigmaQuad-II+ B2					Memory & Data Storage											72 Mbit			1.51 A			4 M x 18				SRAM								SRAM
GS8672T38BGE-633I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II					有	633 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15		Tray	GS8672T38BGE		SigmaDDR-II+ B2					Memory & Data Storage											72 Mbit			2.07 A			2 M x 36				SRAM		72						SRAM
GS88236CGB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	42		Tray	GS88236CGB		Pipeline/Flow Through					Memory & Data Storage											9 Mbit			150 mA, 160 mA	7.5 ns		256 k x 36				SRAM								SRAM
GS8672D20BE-550	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	QDR-II	N	SigmaQuad-II+	GSI技术	GSI技术					有	550 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15		Tray	GS8672D20BE		SigmaQuad-II+ B4					Memory & Data Storage											72 Mbit			1.75 A			4 M x 18				SRAM		72						SRAM
GS8182Q09BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR					有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8182Q09BD		SigmaQuad-II					Memory & Data Storage											18 Mbit			595 mA			2 M x 9				SRAM								SRAM
GS816132DGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR					Compliant	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		Tray	GS816132DGT		Pipeline/Flow Through					Memory & Data Storage											18 Mbit			180 mA, 190 mA	7.5 ns		512 k x 32				SRAM								SRAM
GS816218DGB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21		Tray	GS816218DGB		Pipeline/Flow Through	85 °C	0 °C			Memory & Data Storage											18 Mbit	2		170 mA, 180 mA	7.5 ns		1 M x 18			20 b	SRAM	18 Mb							SRAM		无
GS88218CB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR					Compliant	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		Tray	GS88218CB		Pipeline/Flow Through	70 °C	0 °C			Memory & Data Storage											9 Mbit	2		145 mA, 180 mA	5.5 ns		512 k x 18			19 b	SRAM	9 Mb							SRAM		无
GS882Z18CB-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	SDR	NBT SRAM	GSI技术	GSI技术					Compliant	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		Tray	GS882Z18CB		NBT Pipeline/Flow Through	85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage											9 Mbit	2		150 mA, 175 mA	6.5 ns		512 k x 18			18 b	SRAM	9 Mb							SRAM		无
GS816118DGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36		Tray	GS816118DGD		Pipeline/Flow Through	70 °C	0 °C			Memory & Data Storage											18 Mbit	2		210 mA, 230 mA	5.5 ns		1 M x 18			20 b	SRAM	18 Mb							SRAM		无