GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																												操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	记忆密度
GS881E36CGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V		Tray	GS881E36CGT				DCD Pipeline/Flow Through		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage											9 Mbit	4		150 mA, 160 mA	7.5 ns		256 k x 36			18 b	SRAM	9 Mb							SRAM			无
GS8161Z36DD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1						Compliant		Bulk							70 °C	0 °C															4								19 b		18 Mb										无
GS816136DGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V		Tray	GS816136DGD				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage											18 Mbit			230 mA, 250 mA	5.5 ns		512 k x 36				SRAM								SRAM
GS8672T38BGE-500	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II					有	500 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V		Tray	GS8672T38BGE				SigmaDDR-II+ B2						Memory & Data Storage											72 Mbit			1.7 A			2 M x 36				SRAM		72						SRAM
GS8161E36DGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V		Tray	GS8161E36DGT				DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage											18 Mbit			180 mA, 190 mA	7.5 ns		512 k x 36				SRAM								SRAM
GS8182Q18BD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR					有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8182Q18BD				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage											18 Mbit			500 mA			1 M x 18				SRAM								SRAM
GS8672Q18BE-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II					有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8672Q18BE				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage											72 Mbit			1.21 A			4 M x 18				SRAM		72						SRAM
GS88218CB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119		150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel						GS88218CB																					9 Mbit			120 mA, 130 mA	7.5 ns		512 k x 18
GS8672D36BE-300M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165			有	300 MHz	+ 125 C	- 55 C	15	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II				Tray	GS8672D36BE				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage											72 Mbit						2 M x 36				SRAM		72						SRAM
GS8162Z36DB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR					有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V		Tray	GS8162Z36DB				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage											18 Mbit			180 mA, 190 mA	7.5 ns		512 k x 36				SRAM								SRAM
GS842Z36CGB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR					有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	84	2.3 V		Tray	GS842Z36CGB				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage											4 Mbit			150 mA, 160 mA	7.5 ns		128 k x 36				SRAM								SRAM
GS8672D20BGE-550	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II					有	550 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V		Tray	GS8672D20BGE				SigmaQuad-II+ B4						Memory & Data Storage											72 Mbit			1.75 A			4 M x 18				SRAM		72						SRAM
GS88236CGB-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	42	2.3 V		Tray	GS88236CGB				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage											9 Mbit			175 mA, 215 mA	5.5 ns		256 k x 36				SRAM								SRAM
GS8672T19BGE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II					有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V		Tray	GS8672T19BGE				SigmaDDR-II+ B2						Memory & Data Storage											72 Mbit			1.09 A			4 M x 18				SRAM		72						SRAM
GS880Z18CGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR					有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V		Tray	GS880Z18CGT				NBT						Memory & Data Storage											9 Mbit			120 mA, 130 mA	7.5 ns		512 k x 18				SRAM								SRAM
GS8182S09BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR					有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V		Tray	GS8182S09BGD				SigmaSIO DDR-II						Memory & Data Storage											18 Mbit			355 mA			2 M x 9				SRAM								SRAM
GS816132DGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V		Tray	GS816132DGT				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage											18 Mbit			230 mA, 250 mA	5.5 ns		512 k x 32				SRAM								SRAM
GS882Z36CB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119	SDR	BGA,	网格排列	256000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	无	GS882Z36CB-150I	262144 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.14	BGA	有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM		Tray	GS882Z36CB	e0	无	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	INDUSTRIAL	9 Mbit		SYNCHRONOUS	150 mA, 160 mA	7.5 ns		256 k x 36	1.77 mm	36		SRAM		9437184 bit		PARALLEL	ZBT SRAM	2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS8182D08BGD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	SigmaQuad-II	Details	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.5 ns	70 °C	有	GS8182D08BGD-167	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.33	BGA	有	167 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8182D08BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	315 mA			2 M x 8	1.4 mm	8		SRAM		16777216 bit		PARALLEL	DDR SRAM	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS882Z18CB-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119	N	SDR	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	无	GS882Z18CB-200	524288 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.13	BGA	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM		Tray	GS882Z18CB	e0	无	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	COMMERCIAL	9 Mbit		SYNCHRONOUS	130 mA, 155 mA	6.5 ns		512 k x 18	1.77 mm	18		SRAM		9437184 bit		PARALLEL	ZBT SRAM	2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS8162Z36DGB-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	119	Details	SDR	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS8162Z36DGB-200	524288 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM		Tray	GS8162Z36DGB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	COMMERCIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	210 mA	6.5 ns		512 k x 36	1.99 mm	36		SRAM		18874368 bit		PARALLEL	ZBT SRAM	2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS8161Z36DD-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	0 to 85 °C																							18 Mbit	4		175 mA, 190 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36			19 Bit		18 Mbit		Commercial
GS816132DD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	N	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	无	GS816132DD-200	524288 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.31	BGA	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst		Tray	GS816132DD			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165		COMMERCIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	210 mA	6.5 ns		512 k x 32	1.4 mm	32		SRAM		16777216 bit		PARALLEL	缓存SRAM	2.7 V	2.3 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8182D08BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8182D08BGD-333I	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.33	BGA	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		Tray	GS8182D08BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	INDUSTRIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	525 mA			2 M x 8	1.4 mm	8		SRAM		16777216 bit		PARALLEL	DDR SRAM	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8161E18DGD-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	2, 2.7 V	表面贴装	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	有	GS8161E18DGD-250V	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.29	BGA	Commercial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	0 to 70 °C		GS8161E18DGD			3A991.B.2.B					FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	205 mA, 225 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18	1.4 mm	18	20 Bit		18 Mbit	18874368 bit	Commercial	PARALLEL	缓存SRAM	2 V	1.7 V		15 mm	13 mm