GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	包装/外壳															包装	系列	类型	最高工作温度	最小工作温度	子类别	电压 - 供电	内存大小	端口的数量	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	地址总线宽度	产品类别	密度	记忆密度	产品类别	辐射硬化
GS8180QV18BD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	有	200 MHz	+ 85 C	2.6 V	- 40 C	18	2.4 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-I	DDR	Compliant	Tray	GS8180QV18BD	SigmaQuad	85 °C	-40 °C	Memory & Data Storage	2.5 V	18 Mbit	2			1 M x 18	19 b	SRAM	18 Mb		SRAM	无
GS88218CGB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	Compliant	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Tray	GS88218CGB	Pipeline/Flow Through	70 °C	0 °C	Memory & Data Storage		9 Mbit	2	120 mA, 130 mA	7.5 ns	512 k x 18	19 b	SRAM	9 Mb		SRAM	无
GS882Z36CB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	Compliant	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	Tray	GS882Z36CB	NBT Pipeline/Flow Through	70 °C	0 °C	Memory & Data Storage		9 Mbit	4	130 mA, 140 mA	7.5 ns	256 k x 36	18 b	SRAM	9 Mb		SRAM	无
GS816218DGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Compliant	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Bulk	GS816218DGD	Pipeline/Flow Through	85 °C	0 °C	Memory & Data Storage		18 Mbit	2	195 mA	6.5 ns	1 M x 18	20 b	SRAM	18 Mb		SRAM	无
GS881Z18CGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Tray	GS881Z18CGT	NBT Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage		9 Mbit		145 mA, 180 mA	5.5 ns	512 k x 18		SRAM			SRAM
GS8162Z18DD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	Tray	GS8162Z18DD	NBT Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage		18 Mbit		170 mA, 180 mA	7.5 ns	1 M x 18		SRAM			SRAM
GS842Z18CB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	84	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	有	Tray	GS842Z18CB	NBT Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage		4 Mbit		140 mA, 150 mA	7.5 ns	256 k x 18		SRAM			SRAM
GS8672T18BE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II	有	Tray	GS8672T18BE	SigmaDDR-II			Memory & Data Storage		72 Mbit		910 mA		4 M x 18		SRAM		72	SRAM
GS842Z18CB-166I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	166 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	84	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	有	Tray	GS842Z18CB	NBT Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage		4 Mbit		145 mA, 160 mA	7 ns	256 k x 18		SRAM			SRAM
GS8161E32DD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	有	250 MHz	Tray	GS8161E32DD	DCD Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage		18 Mbit		230 mA, 250 mA	5.5 ns	512 k x 32		SRAM			SRAM
GS842Z18CB-166	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	166 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	84	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	有	Tray	GS842Z18CB	NBT Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage		4 Mbit		125 mA, 140 mA	7 ns	256 k x 18		SRAM			SRAM
GS8182S09BD-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	167 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	DDR	有	Tray	GS8182S09BD	SigmaSIO DDR-II			Memory & Data Storage		18 Mbit		325 mA		2 M x 9		SRAM			SRAM
GS881E18CGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Tray	GS881E18CGT	DCD Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage		9 Mbit		140 mA, 150 mA	7.5 ns	512 k x 18		SRAM			SRAM
GS8672T38BGE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II	Tray	GS8672T38BGE	SigmaDDR-II+ B2			Memory & Data Storage		72 Mbit		1.43 A		2 M x 36		SRAM		72	SRAM
GS8182D09BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	有	Tray	GS8182D09BD	SigmaQuad-II			Memory & Data Storage		18 Mbit		525 mA		2 M x 9		SRAM			SRAM
GS842Z36CB-166I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	166 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	84	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	有	Tray	GS842Z36CB	NBT Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage		4 Mbit		155 mA, 180 mA	7 ns	128 k x 36		SRAM			SRAM
GS8161E32DGT-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	有	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Tray	GS8161E32DGT	DCD Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage		18 Mbit		195 mA, 210 mA	7.5 ns	512 k x 32		SRAM			SRAM
GS8672D38BE-550I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	550 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	有	Tray	GS8672D38BE	SigmaQuad-II+ B4			Memory & Data Storage		72 Mbit		2.46 A		2 M x 36		SRAM		72	SRAM
GS8672D20BGE-550I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	有	550 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Tray	GS8672D20BGE	SigmaQuad-II+ B4			Memory & Data Storage		72 Mbit		1.77 A		4 M x 18		SRAM		72	SRAM
GS881E36CGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Tray	GS881E36CGT	DCD Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage		9 Mbit		130 mA, 140 mA	7.5 ns	256 k x 36		SRAM			SRAM
GS816132DGT-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	有	200 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Tray	GS816132DGT	同步突发			Memory & Data Storage		18 Mbit		225 mA, 230 mA	6.5 ns	512 k x 32		SRAM			SRAM
GS880E18CGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Tray	GS880E18CGT	DCD	70 °C	0 °C	Memory & Data Storage		9 Mbit	2	130 mA, 155 mA	6.5 ns	512 k x 18	18 b	SRAM	9 Mb		SRAM	无
GS8182S18BD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	有	167 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	N	DDR	Tray	GS8182S18BD	SigmaSIO DDR-II			Memory & Data Storage		18 Mbit		315 mA		1 M x 18		SRAM			SRAM
GS8160E32DGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Tray	GS8160E32DGT	Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage		18 Mbit		180 mA, 190 mA	7.5 ns	512 k x 32		SRAM			SRAM
GS816118DGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Tray	GS816118DGT	Pipeline/Flow Through	85 °C	-40 °C	Memory & Data Storage		18 Mbit	2	230 mA, 250 mA	5.5 ns	1 M x 18	20 b	SRAM	18 Mb		SRAM	无