GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	供应商器件包装											厂商														操作温度	包装	系列	类型	最高工作温度	最小工作温度	子类别	技术	电压 - 供电	Reach合规守则	内存大小	端口的数量	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	组织结构	写入周期时间 - 字符、页面	产品类别	记忆密度	产品类别	组织的记忆
GS8161E18DGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR				Compliant	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		Bulk	GS8161E18DGD	DCD Pipeline/Flow Through	70 °C	0 °C	Memory & Data Storage				18 Mbit	2		195 mA, 195 mA	6.5 ns			1 M x 18		20 b	SRAM	18 Mb		SRAM		无
GS8161E36DD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR				Compliant	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		Bulk	GS8161E36DD	DCD Pipeline/Flow Through	85 °C	-40 °C	Memory & Data Storage				18 Mbit	4		250 mA, 270 mA	5.5 ns			512 k x 36		19 b	SRAM	18 Mb		SRAM		无
GS816236DGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR				Compliant	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		Bulk	GS816236DGD	Pipeline/Flow Through	100 °C	-40 °C	Memory & Data Storage				18 Mbit	4		230 mA	6.5 ns			512 k x 36		19 b	SRAM	18 Mb		SRAM		无
GS8161E32DGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR				Compliant	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		Bulk	GS8161E32DGD	DCD Pipeline/Flow Through	85 °C	-40 °C	Memory & Data Storage				18 Mbit	4		250 mA, 270 mA	5.5 ns			512 k x 32		19 b	SRAM	18 Mb		SRAM		无
GS8161Z32DGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR				有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36		Tray	GS8161Z32DGD	NBT	85 °C	-40 °C	Memory & Data Storage				18 Mbit	4		230 mA	6.5 ns			512 k x 32		19 b	SRAM	18 Mb		SRAM		无
GS816218DGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR				Compliant	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		Bulk	GS816218DGD	Pipeline/Flow Through	100 °C	-40 °C	Memory & Data Storage				18 Mbit	2		215 mA	6.5 ns			1 M x 18		20 b	SRAM	18 Mb		SRAM		无
GS8161E32DD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	2.3 V	SMD/SMT	GSI技术		GSI技术	SyncBurst	SDR				Compliant	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36		Bulk	GS8161E32DD	DCD Pipeline/Flow Through	70 °C	0 °C	Memory & Data Storage				18 Mbit	4		180 mA, 190 mA	7.5 ns			512 k x 32		19 b	SRAM	18 Mb		SRAM		无
GS816218DD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		GSI技术	SyncBurst	SDR	Compliant				有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36		Tray	GS816218DD	Pipeline/Flow Through	100 °C	-40 °C	Memory & Data Storage				18 Mbit	2		215 mA	6.5 ns			1 M x 18		20 b	SRAM	18 Mb	18	SRAM		无
GS88118CGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1						Compliant					85 °C	-40 °C						1								19 b		9 Mb				无
GS816218DB-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		GSI技术	SyncBurst	N	SDR				有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21		Tray	GS816218DB	Pipeline/Flow Through	85 °C	0 °C	Memory & Data Storage				18 Mbit	2		195 mA	6.5 ns			1 M x 18		20 b	SRAM	18 Mb		SRAM		无
GS816132DGT-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		GSI技术	SyncBurst	Details	SDR				有	200 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18		Tray	GS816132DGT	同步突发			Memory & Data Storage				18 Mbit			205 mA, 210 mA	6.5 ns			512 k x 32			SRAM			SRAM
GS8161E36DD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		GSI技术	SyncBurst	SDR	Compliant				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36		Tray	GS8161E36DD	DCD Pipeline/Flow Through	85 °C	-40 °C	Memory & Data Storage				18 Mbit	4		200 mA, 210 mA	7.5 ns			512 k x 36		19 b	SRAM	18 Mb		SRAM		无
GS842Z36CGB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR				有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	84		Tray	GS842Z36CGB	NBT Pipeline/Flow Through	85 °C	0 °C	Memory & Data Storage				4 Mbit	4		130 mA, 140 mA	7.5 ns			128 k x 36		17 b	SRAM	4 Mb		SRAM		无
GS881E18CGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR				Compliant	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		Tray	GS881E18CGT	DCD Pipeline/Flow Through	70 °C	0 °C	Memory & Data Storage				9 Mbit	2		130 mA, 155 mA	6.5 ns			512 k x 18		18 b	SRAM	9 Mb		SRAM		无
GS842Z18CGB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	84		Tray	GS842Z18CGB	NBT Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage				4 Mbit			140 mA, 150 mA	7.5 ns			256 k x 18			SRAM			SRAM
GS8672D36BE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	QDR-II	SigmaQuad-II	GSI技术		GSI技术	Parallel	SMD/SMT				有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V		Tray	GS8672D36BE	SigmaQuad-II			Memory & Data Storage				72 Mbit			1.5 A				2 M x 36			SRAM		72	SRAM
GS8672T37BE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR-II				有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15		Tray	GS8672T37BE	SigmaDDR-II+ B2			Memory & Data Storage				72 Mbit			1.43 A				2 M x 36			SRAM		72	SRAM
GS8182D08BD-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		GSI技术	SigmaQuad-II	DDR				有	167 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V		Tray	GS8182D08BD	SigmaQuad-II			Memory & Data Storage				18 Mbit			325 mA				2 M x 8			SRAM			SRAM
GS8182S09BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR				有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18		Tray	GS8182S09BGD	SigmaSIO DDR-II			Memory & Data Storage				18 Mbit			495 mA				2 M x 9			SRAM			SRAM
GS8672D37BE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II				有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15		Tray	GS8672D37BE	SigmaQuad-II+			Memory & Data Storage				72 Mbit			1.48 A				2 M x 36			SRAM		72	SRAM
GS816218DGB-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel					200 MHz	+ 70 C			GS816218DGB								18 Mbit			195 mA	6.5 ns			1 M x 18
GS8162Z36DGB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR				有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21		Tray	GS8162Z36DGB	NBT Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage				18 Mbit			180 mA, 190 mA	7.5 ns			512 k x 36			SRAM			SRAM
GS8182D19BGD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	BGA-165	165-FPBGA (15x13)	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI Technology Inc.	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Tray	GS8182D19	活跃		有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	-40°C ~ 85°C (TA)	Tray	GS8182D19BGD	SigmaQuad II+			Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.7V ~ 1.9V		18 Mbit		400 MHz	615 mA		SRAM	Parallel	1 M x 18	-		SRAM			SRAM	1M x 18
GS8160Z36DGT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	TQFP-100	100-TQFP (20x14)	有	250 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI Technology Inc.	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Tray	GS8160Z36	活跃	,	有	GS8160Z36DGT-250IV	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.8	-40°C ~ 100°C (TJ)	Tray	GS8160Z36DGT	NBT			Memory & Data Storage	SRAM - Synchronous, ZBT	1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V	compliant	18 Mbit		250 MHz	245 mA, 265 mA	5.5 ns	SRAM	Parallel	512 k x 36	-	SRAM	18	SRAM	512K x 36
GS8182D19BD-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR				有	375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V		Tray	GS8182D19BD	SigmaQuad II+			Memory & Data Storage				18 Mbit			580 mA				1 M x 18			SRAM			SRAM