GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	长度
GS832132AGD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	32 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	18	2.3 V	0 to 85 °C	Tray	GS832132AGD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												36 Mbit	4		190 mA, 200 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 32				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342D08BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342D08BGD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		530 mA		Pipelined	4 M x 8				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342TT37BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Commercial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342TT37BGD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		570 mA		Pipelined	1 M x 36				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342S36BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	SigmaSIO-II	Details	DDR	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	15	- 40 C	1.9 V	+ 85 C	300 MHz	有	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342S36BGD-300I	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.2	BGA	Industrial grade	300 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342S36BGD			3A991.B.2.B	SigmaSIO DDR-II		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	685 mA		Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.21 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8160E32DGT-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				150 MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8160E32DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage												18 Mbit	4		175 mA, 190 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342T09BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR	Industrial grade				250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T09BD				SigmaDDR-II B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		405 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8342D07BD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	0 to 70 °C		GS8342D07BD																				36 Mbit	2		605 mA		Pipelined	4 M x 8				20 Bit		36 Mbit			Commercial
GS8342DT20BGD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342DT20BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		675 mA		Pipelined	2 M x 18				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8161Z32DGD-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Industrial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8161Z32DGD				NBT				Memory & Data Storage												18 Mbit	4		195 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM
GS8161E32DGD-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8161E32DGD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	4		245 mA, 265 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM
GS816136DD-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	无	GS816136DD-250IV	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	BGA	Industrial grade	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	-40 to 100 °C	Tray	GS816136DD			3A991.B.2.B	同步突发		ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	245 mA, 265 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.4 mm	36		SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM		2 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342TT06BGD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade				400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342TT06BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		610 mA		Pipelined	4 M x 8				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8162Z36DGB-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	119	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	21	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS8162Z36DGB-200IV	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	Industrial grade	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8162Z36DGB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	225 mA, 230 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.99 mm	36		SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		2 V	1.7 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS8342D18BD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	0.45 ns	85 °C	无	GS8342D18BD-350I	350 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.34	BGA	Industrial grade	350 MHz	FBGA	QDR	-40 to 100 °C	Tray	GS8342D18BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	675 mA		Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.23 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8161Z32DGD-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	BGA	5.3	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	GS8161Z32DGD-250IV	有	85 °C	5.5 ns	未说明	-40 °C	PLASTIC/EPOXY	1000000	GRID ARRAY, LOW PROFILE	LBGA,	Industrial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	-40 to 100 °C	Tray	GS8161Z32DGD			3A991.B.2.B	NBT		FLOW THROUGH AND PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	245 mA, 265 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32		1.4 mm	32	19 Bit	SRAM	18 Mbit		33554432 bit	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		2 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342T37BD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR	Commercial grade				333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342T37BD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		660 mA		Pipelined	1 M x 36				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342D19BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342D19BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		530 mA		Pipelined	2 M x 18				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS816036DGT-333V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				200@Flow-Through/333@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	3.6 V	0 C	18	2.3 V	0 to 85 °C	Tray	GS816036DGT				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	4		260 mA, 315 mA	4.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS8182S08BGD-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8182S08BGD-375	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA	Commercial grade	375 MHz	FBGA	DDR	0 to 70 °C	Tray	GS8182S08BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaSIO DDR-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	680 mA		Pipelined	2 M x 8		1.4 mm	8	20 Bit	SRAM	18 Mbit		16777216 bit	Commercial	PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342Q07BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	DDR	Industrial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q07BD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		675 mA		Pipelined	4 M x 8				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8342DT19BD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342DT19BD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		605 mA		Pipelined	2 M x 18				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342S36BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	DDR	Industrial grade				333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	-40 to 100 °C	Tray	GS8342S36BD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		785 mA		Pipelined	1 M x 36				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8342QT10BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	9 Bit	1.9 V	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4194304 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	250 MHz	GS8342QT10BD-250	无	70 °C	0.45 ns	未说明	BGA165,11X15,40	PLASTIC/EPOXY	4000000	250 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	0 to 85 °C	Tray	GS8342QT10BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2	Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	36 Mbit		SYNCHRONOUS	665 mA	0.45		4 M x 9	3-STATE	1.4 mm	9		SRAM			36		PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342T10BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Commercial grade				333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342T10BGD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		515 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8162Z18DD-333IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	Industrial grade				200@Flow-Through/333@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8162Z18DD				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		240 mA, 300 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM