GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）
GS8342D08BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Industrial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342D08BGD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		615 mA		Pipelined	4 M x 8				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8162Z36DGB-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	119	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	21	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS8162Z36DGB-150V	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	Commercial grade	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	0 to 85 °C	Tray	GS8162Z36DGB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	175 mA, 190 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.99 mm	36	19 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		2 V	1.7 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS8160E36DGT-333V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				333 MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8160E36DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage												18 Mbit	4		240 mA, 310 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342T08BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165				FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 Bit	1.9 V	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	Details	DDR	Industrial grade	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T08BGD				SigmaDDR-II B2				Memory & Data Storage												36 Mbit			525 mA	0.45		4 M x 8					SRAM			36	Industrial							SRAM
GS8162Z36DGB-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Commercial grade				222.2@Flow-Through/333@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	0 to 85 °C	Tray	GS8162Z36DGB				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	4		260 mA, 315 mA	4.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS8162Z36DB-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	GSI技术	NBT SRAM	SDR	Industrial grade				FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	21	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS8162Z36DB				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	4		225 mA, 230 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36					SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM
GS8342S08BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaSIO-II	Details	DDR	Commercial grade				333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS8342S08BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		605 mA		Pipelined	4 M x 8				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342R18BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	FBGA	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				300 MHz	表面贴装	18 Bit	2 MWords	Synchronous	1.8000 V	DDR	0 to 85 °C																						36 Mbit	1		450 mA		Pipelined	2 M x 18				21 Bit		36 Mbit			Commercial
GS8162Z18DGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.27	BGA	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS8162Z18DGD-200I	1048576 words	2.5 V			GS8162Z18DGD			3A991.B.2.B			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	215 mA	6.5 ns		1 M x 18		1.4 mm	18					18874368 bit		PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V		15 mm	13 mm
GS8322Z18AGD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	165	2 MWords	Synchronous	2.3, 3 V	2.5, 3.3 V	SDR	FBGA	Commercial grade					表面贴装	2.7, 3.6 V	18 Bit	0 to 85 °C																							2				Flow-Through/Pipelined							36 Mbit			Commercial
GS8321E18AGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	-40 to 100 °C	Tray	GS8321E18AGD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		205 mA, 240 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 18					SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8342QT37BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Industrial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8342QT37BD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		775 mA		Pipelined	1 M x 36				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8182Q09BGD-133I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	Details	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.5 ns	85 °C	有	GS8182Q09BGD-133I	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA	有	133 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II		Tray	GS8182Q09BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	385 mA			2 M x 9		1.4 mm	9		SRAM			18874368 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS816132DD-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS816132DD-200IV	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.31	BGA	Industrial grade	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	-40 to 100 °C	Tray	GS816132DD			3A991.B.2.B	同步突发		ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	225 mA, 230 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32		1.4 mm	32		SRAM	18 Mbit		16777216 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM		2 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342R36BD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR	Commercial grade				400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342R36BD				SigmaDDR-II B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		770 mA		Pipelined	1 M x 36				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8161Z18DD-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	Commercial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8161Z18DD				NBT				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		205 mA, 225 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS8182Q18BD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	0 to 70 °C	Tray	GS8182Q18BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		860 mA		Pipelined	1 M x 18				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342D08BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	0.45 ns	70 °C	无	GS8342D08BD-250	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.35	BGA	Commercial grade	250 MHz	FBGA	QDR	0 to 85 °C	Tray	GS8342D08BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	460 mA		Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8	20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.185 A	33554432 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8322Z18AGB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	18 Bit	2.7, 3.6 V	有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	-40 to 100 °C	Tray	GS8322Z18AGB				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												36 Mbit			195 mA, 210 mA	7.5@Flow-Through/3.8		2 M x 18					SRAM			36								SRAM
GS8672D36BGE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	QDR-II					有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8672D36BGE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												72 Mbit			1.86 A			2 M x 36					SRAM			72								SRAM
GS8672D19BGE-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II					有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8672D19BGE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												72 Mbit			1.3 A			4 M x 18					SRAM			72								SRAM
GS8162Z18DB-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel					200 MHz			GS8162Z18DB																				18 Mbit			215 mA	6.5 ns		1 M x 18
GS8161E18DGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	2.3 V	SMD/SMT	SyncBurst	Details	SDR					36	Parallel	GSI技术	GSI技术	有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		Tray	GS8161E18DGT				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit			190 mA, 200 mA	7.5 ns		1 M x 18					SRAM											SRAM
GS8672D37BGE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel					450 MHz																							72 Mbit			2.07 A			2 M x 36								72
GS8182D09BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel					300 MHz																							18 Mbit			485 mA			2 M x 9