GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	长度
GS8182Q36BGD-133	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.5 ns	70 °C	有	GS8182Q36BGD-133	524288 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA	有	133 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details		Tray	GS8182Q36BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	415 mA			512 k x 36		1.4 mm	36	18 b	SRAM	18 Mb		18874368 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm	无
GS8672Q19BE-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II					有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8672Q19BE				SigmaQuad-II+		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	2		1.3 A			4 M x 18				21 b	SRAM	72 Mb		72								SRAM			无
GS8182Q18BD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.9 V	+ 85 C	200 MHz	有	Compliant					DDR	SigmaQuad-II	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	18	- 40 C		Tray	GS8182Q18BD				SigmaQuad-II		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											18 Mbit	2		510 mA			1 M x 18				19 b	SRAM	18 Mb										SRAM			无
GS8256436GD-333V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	YES	165	165	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	1	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	85 °C	有	GS8256436GD-333V	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.68	Commercial grade		333 MHz	BGA	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	8 MWords	0 to 85 °C	Tray	GS8256436GD			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				IT ALSO OPERATES AT 2.3 V TO 2.7 V SUPPLY VOLTAGE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			OTHER	288 Mbit	4	SYNCHRONOUS	530 mA, 690 mA	4.5 ns	Flow-Through/Pipelined	8 M x 36		1.5 mm	36	23 Bit	SRAM	288 Mbit		301989888 bit	Commercial	PARALLEL		缓存SRAM		2 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS880F36CGT-6.5	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	SDR	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS880F36CGT-6.5	153 MHz	262144 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.37	QFP	有	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details		Tray	GS880F36CGT	e3	有	3A991.B.2.B	流过	纯哑光锡			FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	9 Mbit		SYNCHRONOUS	140 mA	6.5 ns		256 k x 36	3-STATE	1.6 mm	36		SRAM		0.025 A	9437184 bit		PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	20 mm	14 mm
GS8342QT10BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342QT10BD				SigmaQuad-II+ B2						Memory & Data Storage													36 Mbit	2		775 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342TT11BD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR	Commercial grade				表面贴装	1.9 V	9 Bit	4 MWords	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	DDR	FBGA	400 MHz	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342TT11BD				SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage													36 Mbit	1		600 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS880F32CGT-5	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				200 MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	32 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	0 to 70 °C	Tray	GS880F32CGT				流过						Memory & Data Storage													9 Mbit	4		165 mA	5 ns	Flow-Through	256 k x 32				18 Bit	SRAM	8 Mbit			Commercial							SRAM
GS8672T36BE-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II	Compliant					有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8672T36BE				SigmaDDR-II		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	1		1.06 A			2 M x 36				21 b	SRAM	72 Mb		72								SRAM			无
GS8182S18BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	Compliant	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8182S18BD-333I	1048576 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	DDR		Tray	GS8182S18BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaSIO DDR-II	Tin/Lead (Sn/Pb)	85 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	525 mA			1 M x 18		1.4 mm	18	19 b	SRAM	18 Mb		18874368 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm	无
GS8672T36BE-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR-II					有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8672T36BE				SigmaDDR-II		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	1		900 mA			2 M x 36				21 b	SRAM	72 Mb		72								SRAM			无
GS8342Q08BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II	GSI技术	GSI技术	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	DDR	N	0 to 85 °C	Tray	GS8342Q08BD				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													36 Mbit	2		775 mA		Pipelined	4 M x 8				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8672D36BE-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	0.45 ns	85 °C	无	GS8672D36BE-200I	200 MHz	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.92	BGA	有	200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II		Tray	GS8672D36BE			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II				管道结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	72 Mbit		SYNCHRONOUS	1.12 A			2 M x 36	3-STATE	1.5 mm	36		SRAM			72		PARALLEL	SEPARATE	标准SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	17 mm	15 mm
GS8342R08BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				300 MHz	FBGA	DDR	0 to 85 °C																									36 Mbit	1		450 mA		Pipelined	4 M x 8				20 Bit		36 Mbit			Commercial
GS8342D20BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	Synchronous	2 MWords	18 Bit	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8342D20BGD-350	350 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA	Commercial grade	350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342D20BGD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	665 mA		Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.22 A	75497472 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342S08BD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.9 V	表面贴装	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8342S08BD-400	400 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Commercial grade	400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	0 to 85 °C		GS8342S08BD			3A991.B.2.B					流水线结构	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	705 mA		Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8	21 Bit		36 Mbit	0.225 A	33554432 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V		15 mm	13 mm
GS88118CD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	300 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	FBGA	SDR	0 to 70 °C		GS88118CD																							9 Mbit	1		150 mA, 205 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 18				19 Bit		9 Mbit			Commercial
GS8342QT07BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8342QT07BGD-300	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Commercial grade	300 MHz	0 to 85 °C	Tray	GS8342QT07BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	775 mA		Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8	21 Bit	SRAM	36 Mbit		33554432 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342R09BD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	YES	165	165	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8342R09BD-400	400 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Commercial grade		400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	0 to 85 °C	Bulk		e0		3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	85 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL		1	SYNCHRONOUS	0.6 mA		Pipelined	4MX9	3-STATE	1.4 mm	9	20 Bit		36 Mbit	0.215 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V		15 mm	13 mm	无
GS8342S08BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.7 V	Synchronous	8 Bit	1.9 V	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO-II	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342S08BGD-300I	300 MHz	4194304 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Industrial grade	300 MHz	FBGA	1.8000 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342S08BGD			3A991.B.2.B	SigmaSIO DDR-II		100 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	540 mA	0.45		4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8	21 b	SRAM	36 Mb	0.21 A	36	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm	无
GS8342Q07BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165		250 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	8 Bit	1.9 V	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR			0 to 85 °C	Tray	GS8342Q07BD				SigmaQuad-II+ B2		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											36 Mbit	2		665 mA	0.45		4 M x 8				21 b	SRAM	36 Mb		36								SRAM			无
GS8672D19BGE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				Compliant				Bulk							100 °C	-40 °C					1.8 V												2									20 b		72 Mb		72											无
GS8342T19BD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR	Commercial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342T19BD				SigmaDDR-II+ B2		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											36 Mbit	1		565 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM			无
GS88136CGT-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS88136CGT				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													9 Mbit	1		185 mA, 245 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 36				17 Bit	SRAM	9 Mbit			Industrial							SRAM
GS832218AD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	0 to 85 °C		GS832218AD																							36 Mbit	2		215 mA, 255 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 18				21 Bit		36 Mbit			Commercial