GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值
GS81302T19E-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaDDR-II+	DDR-II					有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS81302T19E				SigmaDDR-II+ B2						Memory & Data Storage													144 Mbit			700 mA			8 M x 18				SRAM											SRAM
GS882Z36CGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR					有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS882Z36CGD				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													9 Mbit			155 mA, 195 mA	5.5 ns		256 k x 36				SRAM											SRAM
GS881E18CGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS881E18CGD				DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													9 Mbit			165 mA, 200 mA	5.5 ns		512 k x 18				SRAM											SRAM
GS81302T38GE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II	Industrial grade					400 MHz	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS81302T38GE				SigmaDDR-II+						Memory & Data Storage												144 Mbit	1		1.005 A		Pipelined	4 M x 36				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302D20E-500	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II					有	500 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS81302D20E				SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage													144 Mbit			1.36 A			8 M x 18				SRAM											SRAM
GS88032CGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS88032CGT				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													9 Mbit			175 mA, 215 mA	5.5 ns		256 k x 32				SRAM											SRAM
GS882Z18CGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR					有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS882Z18CGD				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													9 Mbit			145 mA, 180 mA	5.5 ns		512 k x 18				SRAM											SRAM
GS8182T08BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS842Z18CGB-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR					有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	84	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS842Z18CGB				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													4 Mbit			165 mA, 200 mA	5.5 ns		256 k x 18				SRAM											SRAM
GS8182R09BGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS81302T20E-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR-II					有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS81302T20E				SigmaDDR-II+						Memory & Data Storage													144 Mbit			895 mA			8 M x 18				SRAM											SRAM
GS881Z36CD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	NBT SRAM	SDR					有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS881Z36CD				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													9 Mbit			175 mA, 215 mA	5.5 ns		256 k x 36				SRAM											SRAM
GS88218CD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR					有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS88218CD				Pipeline/Flow Through		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage													9 Mbit	2		145 mA, 180 mA	5.5 ns		512 k x 18			19 b	SRAM	9 Mb										SRAM			无
GS81302T07GE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II	Industrial grade				450 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302T07GE				SigmaDDR-II+ B2						Memory & Data Storage												144 Mbit	1		1.01 A		Pipelined	16 M x 8				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302TT06E-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				400 MHz	FBGA	DDR	-40 to 100 °C		GS81302TT06E																							144 Mbit	1		905 mA	Pipelined	16 M x 8				23 Bit		144 Mbit			Industrial
GS81302Q10E-318I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	Compliant	Industrial grade				318 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	318 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302Q10E				SigmaQuad-II+ B2		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										144 Mbit	2		1.275 A		Pipelined	16 M x 9				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM			无
GS88218CGD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	SMD/SMT	2.3 V	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	有	GS88218CGD-150I	524288 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.13	BGA	Compliant	有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	SDR	SyncBurst	GSI技术	GSI技术	Parallel		Tray	GS88218CGD	e1	有	3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85 °C	-40 °C	PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	9 Mbit	2	SYNCHRONOUS	140 mA, 150 mA	7.5 ns		512 k x 18		1.4 mm	18	19 b	SRAM	9 Mb		9437184 bit		PARALLEL		缓存SRAM	2.7 V	2.3 V	SRAM	15 mm	13 mm	无
GS840H18AB-100	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	119	119	BGA			Compliant	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	3	256000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	12 ns	70 °C	无	GS840H18AB-100	100 MHz	262144 words	3.3 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21				e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	3.3 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	2.5/3.3,3.3 V	COMMERCIAL	2	SYNCHRONOUS	0.19 mA			256KX18	3-STATE	2.19 mm	18	18 b		4.5 Mb	0.02 A	4.5		PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	3.14 V	3.6 V	3 V		22 mm	14 mm	无
GS8320E18AGT-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				150 MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8320E18AGT				DCD Synchronous Burst						Memory & Data Storage												36 Mbit	2		185 mA, 200 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 18				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302Q37E-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	165	300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	Industrial grade					-40 to 100 °C																										2				Pipelined					21 Bit	144 Mbit			Industrial
GS81302T37GE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	YES	165	165	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS81302T37GE-300I	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.06	BGA		有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS81302T37GE	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaDDR-II+ B2	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	144 Mbit		SYNCHRONOUS	790 mA			4 M x 36		1.5 mm	36		SRAM			75497472 bit		PARALLEL		DDR SRAM	1.9 V	1.7 V	SRAM	17 mm	15 mm
GS81302D06E-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	165	350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	Industrial grade					-40 to 100 °C																										2				Pipelined					22 Bit	144 Mbit			Industrial
GS81302DT07E-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	Commercial grade				400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	表面贴装	Compliant	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS81302DT07E				SigmaQuad-II+ B4		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										144 Mbit	2		1.055 A		Pipelined	16 M x 8				22 b	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS8662TT10BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	Industrial grade				333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	表面贴装	Compliant	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	-40 to 100 °C	Bulk	GS8662TT10BD				SigmaDDR-II+ B2		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										72 Mbit	1		545 mA		Pipelined	8 M x 9				22 b	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM			无
GS81302TT38GE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II	Industrial grade				450 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	表面贴装	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS81302TT38GE				SigmaDDR-II+		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										144 Mbit	1		1.2 A		Pipelined	4 M x 36				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM			无