GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	长度
GS88236CD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR					有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS88236CD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												9 Mbit			155 mA, 195 mA	5.5 ns		256 k x 36					SRAM											SRAM
GS880E36CGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS880E36CGT				DCD				Memory & Data Storage												9 Mbit			175 mA, 215 mA	5.5 ns		256 k x 36					SRAM											SRAM
GS81302D20GE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	400 MHz	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	Industrial grade						-40 to 100 °C																							2				Pipelined					21 Bit		144 Mbit			Industrial
GS88118CGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS88118CGT				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												9 Mbit			165 mA, 200 mA	5.5 ns		512 k x 18					SRAM											SRAM
GS8673EQ18BGK-714	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1																																										72
GS832036AGT-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	4 ns	85 °C	有	GS832036AGT-400	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.7	QFP	Commercial grade	250@Flow-Through/400@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	0 to 85 °C	Tray	GS832036AGT			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		ALSO OPERATES AT 3.3; SYNCHRONOUS BURST		Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		OTHER	36 Mbit	4	SYNCHRONOUS	285 mA, 395 mA	4 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36		1.6 mm	36	20 Bit	SRAM	36 Mbit		37748736 bit	Commercial	PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	20 mm	14 mm
GS8342S36BGD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	400 MHz	+ 85 C	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	- 40 C	1.9 V	Industrial grade				400 MHz	FBGA	DDR	-40 to 100 °C																						36 Mbit	2		915 mA		Pipelined	1 M x 36				19 Bit		36 Mbit			Industrial
GS881E32CGT-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	256 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	66	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS881E32CGT-150V	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.3	QFP	Commercial grade	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	TQFP	SDR	0 to 70 °C	Tray	GS881E32CGT	e3	有	3A991.B.2.B	DCD Pipeline/Flow Through	Matte Tin (Sn)	PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 2.3 V TO 2.7 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		COMMERCIAL	9 Mbit	4	SYNCHRONOUS	110 mA, 125 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 32		1.6 mm	32	18 Bit	SRAM	8 Mbit		8388608 bit	Commercial	PARALLEL		缓存SRAM		2 V	1.7 V	SRAM	20 mm	14 mm
GS81302DT11E-500	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	Commercial grade				500 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	500 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS81302DT11E				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1.26 A		Pipelined	16 M x 9				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS74116AGX-8	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	BGA-48	YES	48	48	表面贴装	+ 70 C	3.6 V	0 C	135	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	Details	SDR	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	256000	PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	未说明	8 ns	70 °C	有	GS74116AGX-8	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.54	BGA	Commercial grade	FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	256 kWords	16 Bit	3.6 V	0 to 70 °C		GS74116AGX	e1	有	3A991.B.2.B	Asynchronous	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)		8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	COMMERCIAL	4 Mbit	1	ASYNCHRONOUS	130 mA	8 ns		256 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16	18 Bit	SRAM	4 Mbit	0.01 A	4194304 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V	SRAM	10 mm	6 mm
GS81302D18E-350M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	QDR-II	Military grade				350 MHz	BGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	表面贴装	有	350 MHz	+ 125 C	1.9 V	- 55 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II		Tray	GS81302D18E				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												144 Mbit					Pipelined	8 M x 18				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Military							SRAM
GS81302DT19GE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Industrial grade				400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302DT19GE				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1.065 A		Pipelined	8 M x 18				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302Q19GE-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.9 V	表面贴装	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS81302Q19GE-250I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.33	BGA	Industrial grade	250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	-40 to 100 °C			e1	有	3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	1.07 A		Pipelined	8 M x 18		1.5 mm	18	22 Bit		144 Mbit		150994944 bit	Industrial	PARALLEL		QDR SRAM		1.9 V	1.7 V		17 mm	15 mm
GS71108AU-7	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	48	PLASTIC/EPOXY	未说明	7 ns	70 °C	无	GS71108AU-7	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Commercial grade		FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	128 kWords	8 Bit	3.6 V	表面贴装	240	GSI技术	GSI技术	TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000	0 to 70 °C		GS71108AGU		无	3A991.B.2.B				8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格		COMMERCIAL		1	ASYNCHRONOUS				128KX8		1.2 mm	8	17 Bit	SRAM	1 Mbit		1048576 bit	Commercial	PARALLEL		标准SRAM		3.6 V	3 V	SRAM	8 mm	6 mm
GS81302S36GE-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR-II	Industrial grade				250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302S36GE				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		800 mA		Pipelined	4 M x 36				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662D20BD-550	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8662D20BD-550	4194304 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.45	BGA	有	550 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR		Tray	GS8662D20BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+	Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	72 Mbit		SYNCHRONOUS	980 mA			4 M x 18		1.4 mm	18		SRAM			72		PARALLEL		QDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS832136AGD-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS832136AGD				同步突发				Memory & Data Storage												36 Mbit	4		235 mA, 270 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8321Z32AD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	无	GS8321Z32AD-400I	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.3	BGA	Industrial grade	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	32 Bit	2.7, 3.6 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8321Z32AD	e0	无	3A991.B.2.B	NBT	Tin/Lead (Sn/Pb)	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE		Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格			36 Mbit	4	SYNCHRONOUS	305 mA, 415 mA	4 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 32		1.4 mm	32	20 Bit	SRAM	36 Mbit		33554432 bit	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS81302T06GE-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II	Industrial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS81302T06GE				SigmaDDR-II+				Memory & Data Storage												144 Mbit	1		810 mA		Pipelined	16 M x 8				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS8161Z18DGT-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Industrial grade				238@Flow-Through/375@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8161Z18DGT				NBT				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		270 mA, 340 mA	4.2 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662T19BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				300 MHz	FBGA	DDR	-40 to 100 °C		GS8662T19BD																				72 Mbit	1		505 mA		Pipelined	4 M x 18				21 Bit		72 Mbit			Industrial
GS8642Z36B-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119	表面贴装	2.7, 3.6 V	36 Bit	2 MWords	Synchronous	2.3, 3 V	2.5, 3.3 V	SDR	FBGA	有	300 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	-40 °C	未说明	5.5 ns	BGA	5.18	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	BGA	2.5 V	300 MHz	GS8642Z36B-300I	无	85 °C	Industrial grade	181.8@Flow-Through/300@Pipelined MHz	-40 to 85 °C	Tray	GS8642Z36B	e0	无	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	72 Mbit	4	SYNCHRONOUS	320 mA, 440 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 36	3-STATE	1.99 mm	36	21 Bit	SRAM	72 Mbit	0.12 A	75497472 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	ZBT SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS880E36CGT-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	66	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS880E36CGT-150V	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.38	QFP	Commercial grade	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	TQFP	0 to 70 °C	Tray	GS880E36CGT	e3	有	3A991.B.2.B	DCD	纯哑光锡	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	1.8/2.5 V	COMMERCIAL	9 Mbit	2	SYNCHRONOUS	110 mA, 125 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 36	3-STATE	1.6 mm	36	18 Bit	SRAM	9 Mbit	0.025 A	9437184 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	1.7 V	2 V	1.7 V	SRAM	20 mm	14 mm
GS88118CGD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	85 °C	有	GS88118CGD-150I	3.3 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.45	BGA	Industrial grade	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	-40 to 85 °C					3A991.B.2.B			ALSO OPERATES WITH 2.3V TO 2.7V SUPPLY, FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	9 Mbit	1	SYNCHRONOUS	140 mA, 150 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 18		1.4 mm	18	19 Bit		9 Mbit		9437184 bit	Industrial	SERIAL		缓存SRAM		3.6 V	3 V		15 mm	13 mm
GS81302TT38E-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS81302TT38E-400I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.06	BGA	Industrial grade	400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302TT38E		无	3A991.B.2.B	SigmaDDR-II+		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	144 Mbit	1	SYNCHRONOUS	1.005 A		Pipelined	4 M x 36		1.5 mm	36	21 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit	Industrial	PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	17 mm	15 mm