GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量																厂商																																		操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	组织的记忆
GS881E18CD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	165	Industrial grade								200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Compliant	-40 to 85 °C								85 °C	-40 °C																	2							Flow-Through/Pipelined						18 Bit		9 Mbit			Industrial											无
GS8662DT20BD-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	18 Bit	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V		SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Compliant	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8662DT20BD-500I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.75	BGA	Industrial grade			500 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	-40 to 100 °C	Tray	GS8662DT20BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+		100 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS		900 mA				Pipelined	4 M x 18		1.4 mm	18		20 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL		QDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS816218DGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade						250@Flow-Through/400@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		36	2.3 V	0 to 85 °C	Tray	GS816218DGD				Pipeline/Flow Through		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage													18 Mbit	2			255 mA, 335 mA	4 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 18					20 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM				无
GS816132DGT-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR								Compliant	有	400 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36		Tray	GS816132DGT				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													18 Mbit				280 mA, 365 mA	4 ns				512 k x 32						SRAM											SRAM
GS88236CGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR								有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V		Tray	GS88236CGD				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													9 Mbit				175 mA, 215 mA	5.5 ns				256 k x 36						SRAM											SRAM
GS864018GT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TQFP-100	100	100-TQFP (20x14)	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	GSI Technology Inc.	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Tray	GS864018	活跃	LQFP,	有	GS864018GT-250I	活跃	GSI TECHNOLOGY	QFP	Industrial grade				153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	-40 to 85 °C	Tray	GS864018GT		有		Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage	SRAM - Synchronous, Standard	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V											72 Mbit	2		250 MHz	250 mA, 335 mA	6.5 ns	SRAM	Parallel	Flow-Through/Pipelined	4 M x 18				-	22 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM	4M x 18
GS8662Q07BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Industrial grade						300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	8 Bit	表面贴装	1.9 V	Compliant	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V		- 40 C	15	-40 to 100 °C	Tray	GS8662Q07BD				SigmaQuad-II+ B2		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	2			860 mA				Pipelined	8 M x 8					22 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM				无
GS816272CGC-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-209	209	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Commercial grade						153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	BGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	256 kWords	72 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	Compliant	有	200 MHz	+ 70 C	2.7 V		0 C	21	0 to 70 °C	Tray	GS816272CGC				SCD/DCD		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage													18 Mbit	8			230 mA, 290 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined	256 k x 72					18 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM				无
GS8662Q09BGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	200 MHz	+ 85 C	1.9 V		- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8662Q09BGD-200I	200 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.35	BGA	Industrial grade			200 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8662Q09BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	100 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS		610 mA				Pipelined	8 M x 9	3-STATE	1.4 mm	9		22 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8182T36BD-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1					Compliant													85 °C	-40 °C					1.8 V												1													19 b		18 Mb														无
GS8342Q18BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8342Q18BGD-250	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.71	BGA	Commercial grade			250 MHz	FBGA	QDR	0 to 85 °C	Tray	GS8342Q18BGD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS		665 mA	450 ps			Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18		20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.205 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm
GS8662Q10BGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Industrial grade						250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V		- 40 C	15	-40 to 100 °C	Tray	GS8662Q10BGD				SigmaQuad-II+ B2		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	2			730 mA				Pipelined	8 M x 9					22 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM				无
GS8662D18BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8662D18BD-250	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA	Commercial grade			250 MHz	FBGA	QDR	0 to 85 °C	Tray	GS8662D18BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Lead (Sn/Pb)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS		500 mA				Pipelined	4 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18		20 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm
GS8342QT37BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade						300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C		15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342QT37BGD				SigmaQuad-II+ B2						Memory & Data Storage													36 Mbit	2			895 mA				Pipelined	1 M x 36					19 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8640FZ36GT-6.5	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	Synchronous	2 MWords	36 Bit	3.6 V	表面贴装	有	+ 70 C	3.6 V	0 C	18		2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS8640FZ36GT-6.5	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	QFP	Commercial grade			153.8 MHz	TQFP	SDR	3.3000 V	3 V	0 to 70 °C	Tray	GS8640FZ36GT	e3	有	3A991.B.2.B	NBT Flow Through	Matte Tin (Sn)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY.	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		COMMERCIAL	72 Mbit	4	SYNCHRONOUS		275 mA	6.5 ns			Flow-Through	2 M x 36		1.6 mm	36		21 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.75 V	2.25 V	SRAM		20 mm	14 mm
GS880E36CGT-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	2, 2.7 V	表面贴装	200 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	1.7 V		SMD/SMT	Parallel	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS880E36CGT-200IV	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.38	QFP	Industrial grade			153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	-40 to 85 °C			e3	有	3A991.B.2.B		纯哑光锡			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	1.8/2.5 V	INDUSTRIAL	9 Mbit	2	SYNCHRONOUS		145 mA, 170 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined	256 k x 36	3-STATE	1.6 mm	36		18 Bit		9 Mbit	0.045 A	9437184 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	1.7 V	2 V	1.7 V			20 mm	14 mm
GS8662T37BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR	Commercial grade						300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8662T37BD				SigmaDDR-II+ B2		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	1			625 mA				Pipelined	2 M x 36					20 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM				无
GS8642Z18B-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	167 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	8 ns	70 °C	无	GS8642Z18B-167	167 MHz	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.17	BGA	Commercial grade			125@Flow-Through/167@Pipelined MHz	FBGA	0 to 70 °C	Tray	GS8642Z18B	e0	无	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)	70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS		195 mA, 240 mA	8 ns			Flow-Through/Pipelined	4 M x 18	3-STATE	1.99 mm	18		22 Bit	SRAM	72 Mbit	0.1 A	75497472 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	ZBT SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM		22 mm	14 mm	无
GS8662D09BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II	DDR	Compliant	Industrial grade						300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V		SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS8662D09BD				SigmaQuad-II		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	2			590 mA				Pipelined	8 M x 9					21 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM				无
GS8161E32DGD-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade						238@Flow-Through/375@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		36	2.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8161E32DGD				DCD Pipeline/Flow Through		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage													18 Mbit	4			290 mA, 370 mA	4.2 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 32					19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM				无
GS8128418B-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-119	YES	119	119	Compliant	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		2.3 V	SMD/SMT	Parallel	BGA,	网格排列	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	无	GS8128418B-200V	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Commercial grade			200 MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	0 to 70 °C		GS8128418B	e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	70 °C	0 °C	PIPELINE AND FLOW THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 2.3V TO 2.7V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS		325 mA, 400 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined	8 M x 18		1.99 mm	18		23 Bit		144 Mbit		150994944 bit	Commercial	PARALLEL		缓存SRAM		2 V	1.7 V			22 mm	14 mm	无
GS8662T18BD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II	Compliant	Industrial grade						400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C		15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8662T18BD				SigmaDDR-II B2		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	1			635 mA				Pipelined	4 M x 18					22 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM				无
GS8182R36BD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1					Compliant													70 °C	0 °C					1.8 V												1													19 b		18 Mb														无
GS8662D10BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	Commercial grade						300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8662D10BD				SigmaQuad-II+ B4		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	2			580 mA				Pipelined	8 M x 9					21 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM				无
GS8182D36BGD-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Industrial grade						375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C		18	1.7 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8182D36BGD				SigmaQuad-II		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											18 Mbit	2			865 mA				Pipelined	512 k x 36					17 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM				无