品牌是'GSI' (10000)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

包装/外壳

表面安装

引脚数

终端数量

操作温度

包装

系列

JESD-609代码

无铅代码

ECCN 代码

类型

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

子类别

技术

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

内存大小

端口的数量

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

建筑学

组织结构

输出特性

座位高度-最大

内存宽度

地址总线宽度

产品类别

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

并行/串行

I/O类型

内存IC类型

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

产品类别

长度

宽度

辐射硬化

GS8662R18BGD-333I
GS8662R18BGD-333I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

Details

DDR

Industrial grade

333 MHz

DDR

1.8000 V

Synchronous

4 MWords

18 Bit

表面贴装

有

333 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

15

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaDDR-II

-40 to 100 °C

Tray

GS8662R18BGD

SigmaDDR-II B4

Memory & Data Storage

72 Mbit

1

545 mA

Pipelined

4 M x 18

22 Bit

SRAM

72 Mbit

Industrial

SRAM

GS881E32CD-250I
GS881E32CD-250I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

SyncBurst

SDR

有

250 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

Tray

GS881E32CD

DCD Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

9 Mbit

175 mA, 215 mA

5.5 ns

256 k x 32

SRAM

SRAM

GS81302T38GE-450I
GS81302T38GE-450I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaDDR-II+

Details

DDR-II

Industrial grade

450 MHz

DDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

4 MWords

36 Bit

1.9 V

表面贴装

有

450 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

1.7 V

SMD/SMT

-40 to 100 °C

Tray

GS81302T38GE

SigmaDDR-II+

Memory & Data Storage

144 Mbit

1

1.2 A

Pipelined

4 M x 36

21 Bit

SRAM

144 Mbit

Industrial

SRAM

GS8662D07BD-450I
GS8662D07BD-450I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II+

DDR

Industrial grade

450 MHz

QDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

8 MWords

8 Bit

1.9 V

表面贴装

有

450 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

15

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

-40 to 100 °C

Tray

GS8662D07BD

SigmaQuad-II+ B4

Memory & Data Storage

72 Mbit

2

830 mA

Pipelined

8 M x 8

21 Bit

SRAM

72 Mbit

Industrial

SRAM

GS8182R18BGD-167
GS8182R18BGD-167
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

GS8662Q19BD-250
GS8662Q19BD-250
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II+

N

DDR

Commercial grade

250 MHz

QDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

4 MWords

18 Bit

1.9 V

表面贴装

有

250 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

15

1.7 V

SMD/SMT

0 to 85 °C

Tray

GS8662Q19BD

SigmaQuad-II+ B2

Memory & Data Storage

72 Mbit

2

720 mA

Pipelined

4 M x 18

21 Bit

SRAM

72 Mbit

Commercial

SRAM

GS8182T08BGD-300I
GS8182T08BGD-300I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

GS88132CGT-250I
GS88132CGT-250I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

TQFP-100

有

250 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SyncBurst

Details

SDR

,

有

GS88132CGT-250I

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.8

Tray

GS88132CGT

Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

compliant

9 Mbit

175 mA, 215 mA

5.5 ns

256 k x 36

SRAM

SRAM

GS8182T18BGD-333I
GS8182T18BGD-333I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

GS81302D37E-333
GS81302D37E-333
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II+

N

QDR-II

有

333 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

10

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

Tray

GS81302D37E

SigmaQuad-II+ B4

Memory & Data Storage

144 Mbit

1 A

4 M x 36

SRAM

SRAM

GS81302T37GE-333I
GS81302T37GE-333I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

333 MHz

GS81302T37GE

144 Mbit

860 mA

4 M x 36

GS88132CD-150
GS88132CD-150
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

GSI技术

GSI技术

SyncBurst

N

SDR

有

150 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

Tray

GS88132CD

Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

9 Mbit

130 mA, 140 mA

7.5 ns

256 k x 36

SRAM

SRAM

GS8182T08BD-333I
GS8182T08BD-333I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

GS88132CGD-333I
GS88132CGD-333I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

Details

SDR

2.5, 3.3 V

Synchronous

3.6 V

2.3 V

SyncBurst

Industrial grade

222.2@Flow-Through/333@Pipelined MHz

FBGA

SDR

2.3, 3 V

256 kWords

32 Bit

2.7, 3.6 V

表面贴装

有

333 MHz

+ 85 C

- 40 C

36

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

-40 to 85 °C

Tray

GS88132CGD

Pipeline/Flow Through

85 °C

-40 °C

Memory & Data Storage

9 Mbit

1

200 mA, 260 mA

4.5 ns

Flow-Through/Pipelined

256 k x 36

17 Bit

SRAM

9 Mbit

Industrial

SRAM

无

GS8662T09BD-333
GS8662T09BD-333
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaDDR-II

N

DDR

Commercial grade

333 MHz

FBGA

DDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

8 MWords

9 Bit

1.9 V

表面贴装

有

333 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

15

1.7 V

0 to 85 °C

Tray

GS8662T09BD

SigmaDDR-II B2

85 °C

0 °C

Memory & Data Storage

1.8 V

72 Mbit

1

535 mA

Pipelined

8 M x 9

22 Bit

SRAM

72 Mbit

Commercial

SRAM

无

GS8662D09BD-350I
GS8662D09BD-350I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II

DDR

Industrial grade

350 MHz

FBGA

QDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

8 MWords

9 Bit

1.9 V

表面贴装

有

350 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

15

1.7 V

SMD/SMT

-40 to 100 °C

Tray

GS8662D09BD

SigmaQuad-II

Memory & Data Storage

72 Mbit

2

705 mA

Pipelined

8 M x 9

21 Bit

SRAM

72 Mbit

Industrial

SRAM

GS81302TT10GE-450
GS81302TT10GE-450
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

450 MHz

FBGA

1.8000 V

1.9 V

9 Bit

1.7 V

有

450 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

10

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaDDR-II+

Details

DDR-II

Commercial grade

0 to 85 °C

Tray

GS81302TT10GE

SigmaDDR-II+ B2

Memory & Data Storage

144 Mbit

1 A

0.45

16 M x 9

SRAM

144

Commercial

SRAM

GS8644Z18GE-150
GS8644Z18GE-150
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

NBT SRAM

Details

SDR

Commercial grade

133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz

FBGA

SDR

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

4 MWords

18 Bit

2.7, 3.6 V

表面贴装

有

150 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

15

2.3 V

0 to 70 °C

Tray

GS8644Z18GE

NBT

Memory & Data Storage

72 Mbit

2

225 mA, 275 mA

8.5 ns

Flow-Through/Pipelined

4 M x 18

22 Bit

SRAM

72 Mbit

Commercial

SRAM

GS8662TT07BD-300I
GS8662TT07BD-300I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

GSI技术

GSI技术

SigmaDDR-II+

DDR

有

Industrial grade

300 MHz

FBGA

DDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

8 MWords

8 Bit

1.9 V

表面贴装

300 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

15

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

-40 to 100 °C

Tray

GS8662TT07BD

SigmaDDR-II+ B2

Memory & Data Storage

72 Mbit

1

505 mA

Pipelined

8 M x 8

22 Bit

SRAM

72 Mbit

Industrial

SRAM

GS8321Z36AGD-150IV
GS8321Z36AGD-150IV
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

165

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

NBT SRAM

Details

SDR

Industrial grade

133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz

FBGA

SDR

1.8, 2.5 V

1.7, 2.3 V

Synchronous

1 MWords

36 Bit

2, 2.7 V

表面贴装

有

150 MHz

+ 85 C

2.7 V

- 40 C

18

1.7 V

-40 to 100 °C

Tray

GS8321Z36AGD

NBT

Memory & Data Storage

36 Mbit

4

220 mA, 230 mA

7.5 ns

Flow-Through/Pipelined

1 M x 36

20 Bit

SRAM

36 Mbit

Industrial

SRAM

GS88136CGT-250I
GS88136CGT-250I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

YES

100

100

有

GS88136CGT-250I

262144 words

3.3 V

LQFP

RECTANGULAR

GSI技术

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.28

QFP

LQFP,

FLATPACK, LOW PROFILE

256000

UNSPECIFIED

-40 °C

未说明

85 °C

3A991.B.2.B

ALSO OPERATES WITH 2.3V TO 2.7V SUPPLY, FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

8542.32.00.41

CMOS

QUAD

鸥翼

未说明

1

0.65 mm

compliant

R-XQFP-G100

不合格

INDUSTRIAL

SYNCHRONOUS

256KX36

1.6 mm

36

9437184 bit

SERIAL

缓存SRAM

3.6 V

3 V

20 mm

14 mm

GS8342T10BD-450
GS8342T10BD-450
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

BGA-165

165

+ 70 C

1.9 V

0 C

15

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaDDR-II+

N

DDR

,

无

GS8342T10BD-450

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.88

Commercial grade

450 MHz

FBGA

DDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

4 MWords

9 Bit

1.9 V

表面贴装

有

450 MHz

0 to 70 °C

Tray

GS8342T10BD

SigmaDDR-II+ B2

Memory & Data Storage

compliant

36 Mbit

1

670 mA

Pipelined

4 M x 9

21 Bit

SRAM

36 Mbit

Commercial

SRAM

GS88136CGT-250IV
GS88136CGT-250IV
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

TQFP-100

YES

100

100

1.8, 2.5 V

1.7, 2.3 V

Synchronous

256 kWords

36 Bit

2, 2.7 V

表面贴装

有

250 MHz

+ 85 C

2.7 V

- 40 C

66

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SyncBurst

Details

SDR

LQFP,

FLATPACK

256000

PLASTIC/EPOXY

-40 °C

未说明

5.5 ns

85 °C

有

GS88136CGT-250IV

1.8 V

LQFP

RECTANGULAR

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.28

QFP

Industrial grade

181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz

TQFP

SDR

-40 to 85 °C

Tray

GS88136CGT

3A991.B.2.B

同步突发

ALSO OPERATES AT 2.5V

8542.32.00.41

Memory & Data Storage

CMOS

QUAD

鸥翼

未说明

1

0.65 mm

compliant

R-PQFP-G100

不合格

INDUSTRIAL

9 Mbit

1

SYNCHRONOUS

160 mA, 200 mA

5.5 ns

Flow-Through/Pipelined

256 k x 36

1.6 mm

32

18 Bit

SRAM

9 Mbit

8388608 bit

Industrial

PARALLEL

缓存SRAM

2 V

1.7 V

SRAM

20 mm

14 mm

GS8662R09BD-250I
GS8662R09BD-250I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

BGA-165

YES

165

165

DDR

FBGA

250 MHz

250 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

LBGA, BGA165,11X15,40

GRID ARRAY, LOW PROFILE

8000000

PLASTIC/EPOXY

BGA165,11X15,40

-40 °C

未说明

0.45 ns

85 °C

无

GS8662R09BD-250I

250 MHz

1.8 V

LBGA

RECTANGULAR

GSI技术

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.49

BGA

Industrial grade

表面贴装

1.9 V

9 Bit

8 MWords

Synchronous

1.7 V

1.8000 V

-40 to 100 °C

e0

无

3A991.B.2.B

锡铅

流水线结构

8542.32.00.41

SRAMs

CMOS

BOTTOM

BALL

未说明

1

1 mm

compliant

R-PBGA-B165

不合格

1.5/1.8,1.8 V

INDUSTRIAL

72 Mbit

1

SYNCHRONOUS

435 mA

Pipelined

8 M x 9

3-STATE

1.4 mm

9

21 Bit

72 Mbit

0.215 A

75497472 bit

Industrial

PARALLEL

COMMON

标准SRAM

1.7 V

1.9 V

1.7 V

15 mm

13 mm

GS8342QT07BGD-333
GS8342QT07BGD-333
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

BGA-165

YES

165

165

FBGA

QDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

4 MWords

8 Bit

1.9 V

表面贴装

有

333 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

15

DDR

Details

SigmaQuad-II+

GSI技术

GSI技术

Parallel

SMD/SMT

1.7 V

LBGA, BGA165,11X15,40

GRID ARRAY, LOW PROFILE

3

4000000

PLASTIC/EPOXY

BGA165,11X15,40

未说明

0.45 ns

70 °C

有

GS8342QT07BGD-333

333 MHz

1.8 V

LBGA

RECTANGULAR

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.22

BGA

Commercial grade

333 MHz

0 to 85 °C

Tray

GS8342QT07BGD

e1

有

3A991.B.2.B

SigmaQuad-II+ B2

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

流水线结构

8542.32.00.41

Memory & Data Storage

CMOS

BOTTOM

BALL

260

1

1 mm

compliant

R-PBGA-B165

不合格

1.5/1.8,1.8 V

COMMERCIAL

36 Mbit

2

SYNCHRONOUS

885 mA

Pipelined

4 M x 8

3-STATE

1.4 mm

8

21 Bit

SRAM

36 Mbit

33554432 bit

Commercial

PARALLEL

SEPARATE

QDR SRAM

1.7 V

1.9 V

1.7 V

SRAM

15 mm

13 mm