GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别
GS8662D11BGD-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				500 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8662D11BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		900 mA		Pipelined	8 M x 9				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302Q07E-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	Industrial grade				200 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	表面贴装	1.9 V	8 Bit	16 MWords	有	200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS81302Q07E				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		885 mA		Pipelined	16 M x 8				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662TT37BD-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaDDR-II+	N	DDR	Industrial grade				表面贴装	36 Bit	2 MWords	Synchronous	1.8000 V	DDR	FBGA	450 MHz	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS8662TT37BD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												72 Mbit	1		910 mA		Pipelined	2 M x 36				20 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS832036AGT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	有	GS832036AGT-250IV	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.88	QFP	Industrial grade	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	-40 to 100 °C	Tray	GS832036AGT			3A991.B.2.B	同步突发		ALSO OPERTAES AT 2.5, SYNCHRONOUS BURST		Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格			36 Mbit	4	SYNCHRONOUS	260 mA, 315 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36		1.6 mm	36		SRAM	36 Mbit		37748736 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM		2 V	1.7 V	SRAM	20 mm	14 mm
GS8662D06BGD-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				表面贴装	1.9 V	8 Bit	8 MWords	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	QDR	FBGA	450 MHz	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8662D06BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		830 mA		Pipelined	8 M x 8				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662TT11BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				350 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	8 MWords	9 Bit	1.9 V	350 MHz	+ 70 C	0 to 85 °C		GS8662TT11BGD																				72 Mbit			590 mA	0.45		8 M x 9								72	Commercial
GS81302Q19E-318I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	318 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS81302Q19E-318I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.8	BGA	Industrial grade	318 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302Q19E			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			INDUSTRIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	1.275 A		Pipelined	8 M x 18		1.5 mm	18	22 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit	Industrial	PARALLEL		QDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	17 mm	15 mm
GS816272CC-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-209	209	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR	Commercial grade				200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	72 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	0 to 70 °C	Tray	GS816272CC				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	8		290 mA, 365 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 72				18 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS864418GE-166I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	166 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	15	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7 ns	85 °C	有	GS864418GE-166I	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.15	BGA	Industrial grade	142.8@Flow-Through/166@Pipelined MHz	FBGA	-40 to 85 °C	Tray	GS864418GE	e1	有	3A991.B.2.B	同步突发	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS	260 mA, 320 mA	8 ns	Flow-Through/Pipelined	4 M x 18		1.5 mm	18	22 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	17 mm	15 mm
GS8662Q09BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	15	- 40 C	1.9 V	+ 85 C	300 MHz	Industrial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	DDR	SigmaQuad-II	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8662Q09BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		860 mA		Pipelined	8 M x 9				22 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS8321Z36AGD-333V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	165	FBGA	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	36 Bit	2, 2.7 V					200@Flow-Through/333@Pipelined MHz	0 to 85 °C																										5@Flow-Through/3@Pip										36
GS8182T36BD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	165	333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	Commercial grade					0 to 70 °C																							1				Pipelined					19 Bit		18 Mbit			Commercial
GS81302D37E-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	Commercial grade				400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS81302D37E				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1.17 A		Pipelined	4 M x 36				20 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302Q07GE-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Commercial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS81302Q07GE				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1.06 A		Pipelined	16 M x 8				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302TT19E-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR-II	Commercial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS81302TT19E				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												144 Mbit	1		690 mA		Pipelined	8 M x 18				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302Q07GE-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Industrial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302Q07GE				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1.07 A		Pipelined	16 M x 8				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662Q07BD-357I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	357 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	0.45 ns	85 °C	无	GS8662Q07BD-357I	357 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Industrial grade	357 MHz	FBGA	QDR	-40 to 100 °C	Tray	GS8662Q07BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS	995 mA		Pipelined	8 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8	22 Bit	SRAM	72 Mbit	0.285 A	67108864 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8182R08BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	YES	165	165	无	GS8182R08BD-300	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.18	BGA		LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C				e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL			SYNCHRONOUS				2MX8		1.4 mm	8					16777216 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V		15 mm	13 mm
GS8662Q08BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Industrial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8662Q08BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		730 mA		Pipelined	8 M x 8				22 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302Q10GE-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	1.7 V	10	0 C	1.9 V	+ 70 C	200 MHz	Commercial grade				200 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	QDR-II	Details	SigmaQuad-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	0 to 85 °C	Tray	GS81302Q10GE				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		875 mA		Pipelined	16 M x 9				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302TT37E-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165		FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	36 Bit	1.9 V	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR-II			-40 to 100 °C	Tray	GS81302TT37E				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												144 Mbit			860 mA	0.45		4 M x 36					SRAM			144								SRAM
GS88118CGD-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	18 Bit	2, 2.7 V	有	200 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	66	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR				FBGA	0 to 70 °C	Tray	GS88118CGD				同步突发				Memory & Data Storage												9 Mbit			115 mA, 140 mA	6.5@Flow-Through/3@P		512 k x 18					SRAM			9								SRAM
GS864272C-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-209	YES	209	209	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	72 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	167 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	8 ns	70 °C	无	GS864272C-167	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.18	BGA	Commercial grade	125@Flow-Through/167@Pipelined MHz	FBGA	SDR	0 to 70 °C	Tray	GS864272C		无	3A991.B.2.B	SCD/DCD Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B209	不合格		COMMERCIAL	72 Mbit	8	SYNCHRONOUS	270 mA, 340 mA	8 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 72		1.7 mm	72	20 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Commercial	PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS8322Z72GC-200EV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-209	209	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR				200 MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	72 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 125 C	2.7 V	- 40 C	14	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 125 °C	Tray	GS8322Z72GC				NBT				Memory & Data Storage												36 Mbit	8			7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 72				19 Bit	SRAM	36 Mbit			扩展工业							SRAM
GS881Z32CGT-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Industrial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	256 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	66	1.7 V	-40 to 85 °C	Tray	GS881Z32CGT				NBT				Memory & Data Storage												9 Mbit	1		130 mA, 145 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 32				18 Bit	SRAM	8 Mbit			Industrial							SRAM