GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别
GS8662TT06BGD-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade				500 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8662TT06BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												72 Mbit	1		770 mA		Pipelined	8 M x 8				22 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS8322Z36AGD-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Industrial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	14	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8322Z36AGD				NBT				Memory & Data Storage												36 Mbit	4		260 mA, 315 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662Q10BGD-357I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	357 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				357 MHz	FBGA	QDR	-40 to 100 °C		GS8662Q10BGD																				72 Mbit	2		995 mA		Pipelined	8 M x 9				22 Bit		72 Mbit			Industrial
GS816018DGT-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 100 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	4.2 ns	85 °C	有	GS816018DGT-375I	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.32	QFP	Industrial grade	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	-40 to 100 °C	Tray	GS816018DGT			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100			INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	270 mA, 340 mA	4.2 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.6 mm	8		SRAM	18 Mbit		8388608 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	20 mm	14 mm
GS8342T10BGD-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade				450 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T10BGD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		680 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8640Z36GT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	2.7, 3.6 V	表面贴装	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	有	GS8640Z36GT-200I	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.35	QFP	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade	133.3@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	-40 to 85 °C		GS8640Z36GT	e3	有	3A991.B.2.B		纯哑光锡	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		INDUSTRIAL	72 Mbit	4	SYNCHRONOUS	250 mA, 330 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2MX36		1.6 mm	36	21 Bit		72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V		20 mm	14 mm
GS8342T20BGD-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade				表面贴装	1.9 V	18 Bit	2 MWords	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	DDR	FBGA	450 MHz	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T20BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		680 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS882Z18CD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	Industrial grade				200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	-40 to 85 °C	Tray	GS882Z18CD				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												9 Mbit	2		170 mA, 225 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 18				18 Bit	SRAM	9 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662D09BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	DDR	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8662D09BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		580 mA		Pipelined	8 M x 9				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM
GS8662QT07BGD-357	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	357 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8662QT07BGD-357	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Commercial grade	357 MHz	FBGA	QDR	0 to 85 °C	Tray	GS8662QT07BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			COMMERCIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS	985 mA		Pipelined	8 M x 8		1.4 mm	8	22 Bit	SRAM	72 Mbit		67108864 bit	Commercial	PARALLEL		QDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS81302D07E-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	Commercial grade				350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS81302D07E				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		940 mA		Pipelined	16 M x 8				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342R09BD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8342R09BD-400I	400 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Industrial grade	400 MHz	FBGA	-40 to 100 °C	Tray	GS8342R09BD	e0		3A991.B.2.B	SigmaDDR-II B4	Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	1	SYNCHRONOUS	610 mA		Pipelined	4 M x 9	3-STATE	1.4 mm	9	20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.225 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342T37BGD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.7 V	Synchronous	36 Bit	1.9 V	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342T37BGD-400I	400 MHz	1048576 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Industrial grade	400 MHz	FBGA	1.8000 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T37BGD			3A991.B.2.B	SigmaDDR-II+ B2		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit		SYNCHRONOUS	780 mA	0.45		1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36	19 Bit	SRAM		0.225 A	36	Industrial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8662D19BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8662D19BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		580 mA		Pipelined	4 M x 18				20 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM
GS8662T09BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	DDR	SigmaDDR-II	GSI技术	GSI技术	Parallel	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8662T09BD-250I	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.49	BGA	Industrial grade	250 MHz	FBGA	-40 to 100 °C	Tray	GS8662T09BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaDDR-II B2	Tin/Lead (Sn/Pb)	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	72 Mbit	1	SYNCHRONOUS	435 mA		Pipelined	8 M x 9	3-STATE	1.4 mm	9	22 Bit	SRAM	72 Mbit	0.215 A	75497472 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8644Z18GE-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Industrial grade				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	15	2.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8644Z18GE				NBT				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		275 mA, 350 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	4 M x 18				22 Bit	SRAM	72 Mb			Industrial							SRAM
GS882Z36CD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Industrial grade				200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	有	300 MHz	+ 85 C	-40 to 85 °C	Tray	GS882Z36CD				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												9 Mbit	4		185 mA, 245 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 36				18 Bit	SRAM	9 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302D19GE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	YES	165	165	Details	QDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS81302D19GE-333	8388608 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.33	BGA		有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+		Tray	GS81302D19GE	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B4	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	144 Mbit		SYNCHRONOUS	890 mA			8 M x 18		1.5 mm	18		SRAM			150994944 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	17 mm	15 mm
GS8662DT07BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				表面贴装	1.9 V	8 Bit	8 MWords	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	QDR	FBGA	333 MHz	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8662DT07BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		630 mA		Pipelined	8 M x 8				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM
GS8662D09BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II	Details	DDR	Industrial grade				表面贴装	9 Bit	8 MWords	Synchronous	1.8000 V	QDR	FBGA	333 MHz	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS8662D09BGD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		640 mA		Pipelined	8 M x 9				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302S36E-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	N	DDR-II	Commercial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS81302S36E				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		915 mA		Pipelined	4 M x 36				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS88237CGB-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				300 MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	42	2.3 V	0 to 70 °C	Tray	GS88237CGB				SCD/DCD Pipeline				Memory & Data Storage												9 Mbit	2		225 mA		Pipelined	256 k x 36				18 Bit	SRAM	9 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342TT19BD-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	- 40 C	1.9 V	+ 85 C	450 MHz	有	Industrial grade				450 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	表面贴装	1.9 V	18 Bit	2 MWords	DDR	SigmaDDR-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	15	-40 to 100 °C	Tray	GS8342TT19BD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		680 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302T37GE-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	Synchronous	4 MWords	36 Bit	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	Details	DDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS81302T37GE-350I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.33	BGA	Industrial grade	350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302T37GE	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaDDR-II+ B2	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	144 Mbit	1	SYNCHRONOUS	905 mA		Pipelined	4 M x 36		1.5 mm	36	21 Bit	SRAM	144 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	17 mm	15 mm
GS8182S18BD-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165				375 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	18 Bit	1.9 V	有	375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	DDR	Industrial grade	-40 to 85 °C	Tray	GS8182S18BD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												18 Mbit			690 mA	0.45		1 M x 18				19 Bit	SRAM			18	Industrial							SRAM