品牌是'GSI' (10000)

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

包装/外壳

操作温度

包装

系列

类型

子类别

内存大小

端口的数量

电源电流-最大值

访问时间

建筑学

组织结构

地址总线宽度

产品类别

密度

记忆密度

筛选水平

产品类别

GS81302TT19E-300I
GS81302TT19E-300I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

- 40 C

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

300 MHz

+ 85 C

1.9 V

GS81302TT19E

144 Mbit

700 mA

8 M x 18

144

GS8662S36BGD-300I
GS8662S36BGD-300I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

GSI技术

SigmaSIO DDR-II

Details

DDR

有

300 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

15

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

Tray

GS8662S36BGD

SigmaSIO DDR-II

Memory & Data Storage

72 Mbit

745 mA

2 M x 36

SRAM

SRAM

GS8182T18BGD-167I
GS8182T18BGD-167I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

GS8182R18BD-167
GS8182R18BD-167
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

GS864272GC-200IV
GS864272GC-200IV
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-209

- 40 C

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

200 MHz

+ 85 C

2.7 V

GS864272GC

72 Mbit

295 mA, 405 mA

7.5 ns

1 M x 72

72

GS881E36CGD-150I
GS881E36CGD-150I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

GSI技术

SyncBurst

Details

SDR

有

150 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

Tray

GS881E36CGD

DCD Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

9 Mbit

150 mA, 160 mA

7.5 ns

256 k x 36

SRAM

SRAM

GS8662Q08BD-200
GS8662Q08BD-200
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

200 MHz

QDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

8 MWords

8 Bit

1.9 V

表面贴装

有

200 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

15

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II

N

DDR

Commercial grade

0 to 85 °C

Tray

GS8662Q08BD

SigmaQuad-II

Memory & Data Storage

72 Mbit

2

600 mA

Pipelined

8 M x 8

22 Bit

SRAM

72 Mbit

Commercial

SRAM

GS81302T19E-333I
GS81302T19E-333I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

SigmaDDR-II+

DDR-II

有

333 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

Tray

GS81302T19E

SigmaDDR-II+ B2

Memory & Data Storage

144 Mbit

765 mA

8 M x 18

SRAM

SRAM

GS881E36CGD-150
GS881E36CGD-150
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

GSI技术

SyncBurst

Details

SDR

有

150 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

Tray

GS881E36CGD

DCD Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

9 Mbit

130 mA, 140 mA

7.5 ns

256 k x 36

SRAM

SRAM

GS81302Q10GE-300
GS81302Q10GE-300
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

GSI技术

SigmaQuad-II+

Details

QDR-II

有

300 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

10

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

Tray

GS81302Q10GE

SigmaQuad-II+ B2

Memory & Data Storage

144 Mbit

1.25 A

16 M x 9

SRAM

SRAM

GS8322Z36GE-225EV
GS8322Z36GE-225EV
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

36

GS881E32CD-200I
GS881E32CD-200I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

SyncBurst

SDR

有

200 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

Tray

GS881E32CD

DCD Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

9 Mbit

160 mA, 190 mA

6.5 ns

256 k x 32

SRAM

SRAM

GS8182R18BD-200
GS8182R18BD-200
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

GS8662Q19BGD-300I
GS8662Q19BGD-300I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

- 40 C

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

300 MHz

+ 85 C

1.9 V

GS8662Q19BGD

72 Mbit

860 mA

4 M x 18

GS8182T36BGD-300
GS8182T36BGD-300
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

GS81302D10GE-333
GS81302D10GE-333
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

333 MHz

QDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

16 MWords

9 Bit

1.9 V

表面贴装

有

333 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

10

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II+

Details

QDR-II

Commercial grade

0 to 85 °C

Tray

GS81302D10GE

SigmaQuad-II+ B4

Memory & Data Storage

144 Mbit

2

890 mA

Pipelined

16 M x 9

22 Bit

SRAM

144 Mbit

Commercial

SRAM

GS8182T09BD-200I
GS8182T09BD-200I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

GS81302T10E-300I
GS81302T10E-300I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

DDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

16 MWords

9 Bit

1.9 V

表面贴装

有

300 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaDDR-II+

DDR-II

Industrial grade

300 MHz

-40 to 100 °C

Tray

GS81302T10E

SigmaDDR-II+ B2

Memory & Data Storage

144 Mbit

1

700 mA

Pipelined

16 M x 9

23 Bit

SRAM

144 Mbit

Industrial

SRAM

GS8342TT19BGD-450I
GS8342TT19BGD-450I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

GSI技术

SigmaDDR-II+

Details

DDR

有

450 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

15

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

Tray

GS8342TT19BGD

SigmaDDR-II+ B2

Memory & Data Storage

36 Mbit

680 mA

2 M x 18

SRAM

36

SRAM

GS8322Z36GE-166EV
GS8322Z36GE-166EV
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

36

GS8642Z36GB-200
GS8642Z36GB-200
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-119

GSI技术

NBT SRAM

Details

SDR

有

200 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

14

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

Tray

GS8642Z36GB

NBT Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

72 Mbit

230 mA, 310 mA

7.5 ns

2 M x 36

SRAM

72

SRAM

GS881E36CD-250
GS881E36CD-250
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

SyncBurst

SDR

有

250 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

Tray

GS881E36CD

DCD Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

9 Mbit

155 mA, 195 mA

5.5 ns

256 k x 36

SRAM

SRAM

GS81302Q09E-300I
GS81302Q09E-300I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

SigmaQuad-II

QDR-II

有

300 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

Tray

GS81302Q09E

SigmaQuad-II

Memory & Data Storage

144 Mbit

1.26 A

16 M x 9

SRAM

SRAM

GS8662S09BGD-250I
GS8662S09BGD-250I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

GSI技术

SigmaSIO DDR-II

Details

DDR

有

250 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

15

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

Tray

GS8662S09BGD

SigmaSIO DDR-II

Memory & Data Storage

72 Mbit

510 mA

8 M x 9

SRAM

72

SRAM

GS88118CGD-250
GS88118CGD-250
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

GSI技术

SyncBurst

Details

SDR

有

250 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

Tray

GS88118CGD

Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

9 Mbit

145 mA, 180 mA

5.5 ns

512 k x 18

SRAM

SRAM