GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别
GS8321E18AD-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade				133@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8321E18AD				同步突发				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		205 mA, 220 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 18				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8673ET36BGK-550	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	260	550/375 MHz	BGA	DDR	1.3500 V	1.25 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	1.4 V	表面贴装	Commercial grade					0 to 70 °C																											Pipelined							72 Mbit			Commercial
GS81302T36E-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR-II	Commercial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS81302T36E				SigmaDDR-II B2				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		780 mA		Pipelined	4 M x 36				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS8182T37BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	YES	165	165	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8182T37BD-300	300 MHz	524288 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.2	BGA		LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000				e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL			SYNCHRONOUS	0.455 mA			512KX36	3-STATE	1.4 mm	36				0.155 A	18874368 bit		PARALLEL	COMMON	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V		15 mm	13 mm
GS8662D37BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	表面贴装	1.9 V	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				300 MHz	FBGA	QDR	-40 to 100 °C																						72 Mbit	2		745 mA		Pipelined	2 M x 36				19 Bit		72 Mbit			Industrial
GS81302Q19GE-318	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS81302Q19GE-318	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.72	BGA	Commercial grade	318 MHz	FBGA	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	有	318 MHz	0 to 85 °C	Tray	GS81302Q19GE			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			COMMERCIAL	144 Mbit		SYNCHRONOUS	1.265 A	0.45		8 M x 18		1.5 mm	18		SRAM			144	Commercial	PARALLEL		QDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	17 mm	15 mm
GS864418GE-225I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	225 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	15	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS864418GE-225I	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.15	BGA	Industrial grade	153.8@Flow-Through/225@Pipelined MHz	FBGA	-40 to 85 °C	Tray	GS864418GE	e1	有	3A991.B.2.B	同步突发	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS	275 mA, 370 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	4 M x 18		1.5 mm	18	22 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	17 mm	15 mm
GS81302S18GE-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR-II	Commercial grade				250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS81302S18GE				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		700 mA		Pipelined	8 M x 18				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS816036DGT-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	512 kWords	Synchronous	2.3, 3 V	2.5, 3.3 V	SDR	TQFP	有	400 MHz	+ 85 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	4 ns	70 °C	有	GS816036DGT-400	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.34	QFP	Commercial grade	250@Flow-Through/400@Pipelined MHz	表面贴装	2.7, 3.6 V	36 Bit	0 to 85 °C	Tray	GS816036DGT			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100			COMMERCIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	280 mA, 365 mA	4 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.6 mm	36	20 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	20 mm	14 mm
GS864436E-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR	Commercial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	15	2.3 V	0 to 70 °C	Tray	GS864436E				同步突发				Memory & Data Storage												72 Mbit	4		245 mA, 295 mA	8.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 36				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302QT07GE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS81302QT07GE				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1.25 A		Pipelined	16 M x 8				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS864236B-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119	2 MWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	14	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR	BGA,	网格排列	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	无	GS864236B-250V	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.18	BGA	Commercial grade	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	0 to 70 °C	Tray	GS864236B	e0	无	3A991.B.2.B	SCD/DCD Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL	72 Mbit	4	SYNCHRONOUS	255 mA, 360 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 36		1.99 mm	36	21 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Commercial	PARALLEL		缓存SRAM		2 V	1.7 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS8662TT20BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165		400 MHz	1.8000 V	1.7 V	18 Bit	1.9 V	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Commercial grade			0 to 85 °C	Tray	GS8662TT20BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												72 Mbit			625 mA	0.45		4 M x 18					SRAM			72	Commercial							SRAM
GS8128418GB-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				200 MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	10	2.3 V	0 to 70 °C	Tray	GS8128418GB				SCD/DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		325 mA, 400 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	8 M x 18				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302D09GE-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	165	250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	表面贴装	1.9 V	9 Bit	Industrial grade					-40 to 100 °C																							2				Pipelined					22 Bit		144 Mbit			Industrial
GS8322Z18AGD-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Industrial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	14	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8322Z18AGD				NBT				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		245 mA, 285 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 18				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302D10GE-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Commercial grade				350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS81302D10GE				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		940 mA		Pipelined	16 M x 9				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS8662R36BD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR	Commercial grade				400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8662R36BD				SigmaDDR-II B4				Memory & Data Storage												72 Mbit	1		800 mA		Pipelined	2 M x 36				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302D09GE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	QDR-II	Industrial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302D09GE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		825 mA		Pipelined	16 M x 9				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS8161E36DGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				250@Flow-Through/400@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	0 to 70 °C	Tray	GS8161E36DGD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	4		280 mA, 365 mA	4 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302D08GE-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II	Details	QDR-II	Commercial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS81302D08GE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		700 mA		Pipelined	16 M x 8					SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302D08GE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	QDR-II	Industrial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302D08GE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		825 mA		Pipelined	16 M x 8				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302D38GE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Industrial grade				500 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302D38GE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1.67 A		Pipelined	4 M x 36				20 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662R18BD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8662R18BD-350I	350 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Industrial grade	350 MHz	FBGA	-40 to 100 °C	Tray	GS8662R18BD			3A991.B.2.B	SigmaDDR-II B4		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	72 Mbit	1	SYNCHRONOUS	600 mA		Pipelined	4 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	22 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	标准SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS81302S18GE-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165		375 MHz	FBGA	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	有	375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR-II			-40 to 100 °C	Tray	GS81302S18GE				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												144 Mbit			1.005 A	0.45		8 M x 18					SRAM			144								SRAM