GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别
GS81302D08GE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	QDR-II	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS81302D08GE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		815 mA		Pipelined	16 M x 8				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS8662D19BGD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				350 MHz	FBGA	QDR	-40 to 100 °C																						72 Mbit	2		705 mA		Pipelined	4 M x 18				20 Bit		72 Mbit			Industrial
GS8320E32AGT-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	100	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	,	有	GS8320E32AGT-200IV	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.8	Industrial grade			200 MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	-40 to 85 °C	Tray	GS8320E32AGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage							compliant					36 Mbit	4		235 mA, 270 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 32					SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8161E36DGT-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	100	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	,	有	GS8161E36DGT-400I	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.8	Industrial grade			400 MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	400 MHz	-40 to 70 °C	Tray	GS8161E36DGT				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage							compliant					18 Mbit	4		300 mA, 385 mA	4 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM
GS840H36AGB-166I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	YES	119	119	128000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	8.5 ns	85 °C	有	GS840H36AGB-166I	131072 words	3.3 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.28	BGA		BGA,	网格排列	3				e1	有	3A991.B.2.B		锡银铜	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		INDUSTRIAL			SYNCHRONOUS				128KX36		2.19 mm	36					4.5		PARALLEL		缓存SRAM		3.6 V	3 V		22 mm	14 mm
GS8662D11BGD-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				450 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8662D11BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		830 mA		Pipelined	8 M x 9				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662QT10BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	Commercial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8662QT10BD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		720 mA		Pipelined	8 M x 9				22 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342D37BGD-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				450 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342D37BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		1.015 A		Pipelined	1 M x 36				18 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8662DT20BGD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8662DT20BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		745 mA		Pipelined	4 M x 18				20 Bit	SRAM	72 Mb			Industrial							SRAM
GS8342TT37BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8342TT37BGD-400	400 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Commercial grade	400 MHz	FBGA	0 to 85 °C	Tray	GS8342TT37BGD			3A991.B.2.B	SigmaDDR-II+ B2		PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	36 Mbit	1	SYNCHRONOUS	770 mA		Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36	19 Bit	SRAM	36 Mbit		37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8662DT37BGD-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				450 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8662DT37BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		1.065 A		Pipelined	2 M x 36				19 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS881Z36CGD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	100	100	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	有	GS881Z36CGD-150I	262144 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.28	QFP	有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM		Tray	GS881Z36CGD	e1	有	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		INDUSTRIAL	9 Mbit		SYNCHRONOUS	150 mA, 160 mA	7.5 ns		256 k x 36		1.6 mm	36		SRAM			9437184 bit		PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	20 mm	14 mm
GS881E18CGT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	18 Bit	2, 2.7 V	有	250 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	66	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade	-40 to 85 °C	Tray	GS881E18CGT				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												9 Mbit			145 mA, 185 mA	5.5@Flow-Through/3@P		512 k x 18					SRAM			9	Industrial							SRAM
GS881E18CGT-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	2.3 V	36	0 C	3.6 V	+ 70 C	333 MHz	有	Commercial grade				222.2@Flow-Through/333@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	SDR	Details	SyncBurst	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	0 to 70 °C	Tray	GS881E18CGT				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												9 Mbit	2		165 mA, 220 mA	4.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 18				18 Bit	SRAM	9 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342Q19BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q19BGD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		785 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662DT07BD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II+	N	DDR	Commercial grade				400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	8 Bit	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS8662DT07BD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		735 mA		Pipelined	8 M x 8				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM
GS8182D09BD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				400 MHz	FBGA	QDR	-40 to 85 °C																						18 Mbit	2		730 mA		Pipelined	2 M x 9				19 Bit		18 Mbit			Industrial
GS8662DT10BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8662DT10BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		640 mA		Pipelined	8 M x 9				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662DT10BD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	Commercial grade				350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8662DT10BD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		695 mA		Pipelined	8 M x 9				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM
GS8182D18BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Commercial grade				400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8182D18BGD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		720 mA		Pipelined	1 M x 18				18 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS8662DT10BD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Industrial grade				400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8662DT10BD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		745 mA		Pipelined	8 M x 9				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662Q18BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	表面贴装	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	0 to 85 °C																						72 Mbit	2		920 mA		Pipelined	4 M x 18						72 Mbit			Commercial
GS864272C-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-209	209	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade				181.8@Flow-Through/300@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	72 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	14	2.3 V	SMD/SMT	-40 to 85 °C	Tray	GS864272C				SCD/DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												72 Mbit	8		385 mA, 540 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 72				20 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS832136AD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	4.5 ns	85 °C	无	GS832136AD-333	333 MHz	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.16	BGA	Commercial grade	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	0 to 85 °C	Tray	GS832136AD			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		PIPELINE OR FLOW THROUGH ARCHITECTUREL; ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	2.5/3.3 V	OTHER	36 Mbit	4	SYNCHRONOUS	260 mA, 345 mA	4.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36		SRAM	36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS81302R09GE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	Details	DDR-II	Industrial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302R09GE				SigmaDDR-II B4				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		700 mA		Pipelined	16 M x 9				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM